微芯科技(Microchip Technology)发布了全新的3.3千伏 HV D3 mSIC® 功率模块，旨在支持超大规模人工智能数据中心及其他高压电力系统中的固态变压器(SST)架构。该模块将3.3千伏碳化硅(SiC)mSiC mosfet与肖特基二极管集成于标准的62毫米封装内，能够实现从中压直接到机架级的电力转换，从而提升效率并降低系统复杂度。

随着人工智能基础设施规模的扩展，电力可用性与能效已成为最大化令牌生成效率和降低运营成本的关键因素。基于低频变压器的传统配电架构会引入额外的转换级、更高的损耗以及更大的系统占用空间。固态变压器通过更少的转换级实现更高效的中压直流配电，从而解决了这些局限。

微芯科技的HV D3 mSiC模块专为满足这些系统的热管理和电气要求而设计。该器件采用mSiC MOSFET技术，其导通电阻(RDS(on))在不同温度变化下均能保持稳定性能。该封装支持6千伏隔离等级，采用CTI 600材料，并提供了更大的爬电距离，以确保高压串联运行的安全性。此外，氮化硅基板提高了导热性能和功率循环可靠性，从而在降低冷却需求的同时支持更高的功率密度。

这些模块提供半桥和共源极两种配置，并可选择集成反并联肖特基二极管，目标应用电流范围为100安培至300安培。mSiC MOSFET的开关特性支持高频固态变压器系统中常用的硬开关和软开关拓扑结构。

除了人工智能数据中心，这些新型功率模块还适用于兆瓦级电动汽车充电基础设施、轨道交通与重型运输辅助供电系统、中压电机驱动器，以及需要高效高压电力转换的工业和国防应用。

微芯科技提供配套的应用笔记、设计指南和仿真模型，以支持3.3千伏碳化硅功率模块的快速开发与原型设计。