英飞凌科技股份公司近日推出其声称的业界首款基于CoolSIC™ Gen2技术的碳化硅双向开关(BDS)。这款750V新器件将两个功率开关集成于单一封装内，不仅简化了系统设计，还能在汽车、工业及能源应用中实现更高效、更紧凑的功率变换架构。

该器件采用垂直集成双芯片结构，搭配共漏极配置，并置于顶部冷却的Q-DPAK封装中。通过将双向开关功能集成到单个元件中，该解决方案可减少元器件数量，并支持新型功率变换拓扑的开发。

据英飞凌介绍，750V CoolSiC BDS针对需要高效率与长期可靠性的应用进行了优化。该器件通过优化的导通电阻(RDS(on))、反向恢复电荷和输出电荷特性，实现了低开关损耗和导通损耗。其他特性包括：典型栅极阈值电压为4.5V，对寄生导通效应具有高抗扰性，以及从-11V到25V的扩展栅极偏压容限。该系列产品初期将覆盖14mΩ至66mΩ的导通电阻值。

该双向开关专为严苛功率环境下的运行而设计，击穿电压达840V，并支持500V以上的直流母线电压。英飞凌还强调了其雪崩耐用性、高达200°C下持续100小时的过载耐受能力，以及2µs的短路耐受时间。这些特性旨在增强对电压浪涌、瞬态事件和浪涌电流情况的抵御能力。

作为英飞凌顶部冷却产品家族的一员，该器件支持先进的散热管理方案，包括直接液体冷却。此能力对于人工智能基础设施和下一代能源系统等高功率密度应用尤为重要。

目标汽车应用包括车载充电器、电动汽车充电系统、电子保险丝(eFuse)实现方案以及预充电电路。当与英飞凌的CoolSiC H-DPAK半桥解决方案结合使用时，这款新型开关可支持基于碳化硅技术的高度集成单级车载充电器架构。

在工业市场方面，英飞凌看到了其在AI数据中心高压直流(HVDC)电源、户用光伏及储能系统、暖通空调设备、eVTOL电机驱动器、配电保护系统，以及自动与仿人机器人平台的快速充电基础设施中的应用机会。750V CoolSiC双向开关现已开始提供样品。