三菱电机株式会社宣布即将开始供应其第五代碳化硅(SIC)mosfet裸芯片的样品，该产品专为电动汽车动力总成应用而开发。公司计划于6月下旬开始分批出货样品，主要面向纯电动汽车(EV)、插电式混合动力汽车(PHEV)及其他电动化车辆平台的牵引逆变器和eAxle电驱动系统。

新器件采用了三菱电机专有的沟槽栅结构SiC MOSFET技术，旨在实现比前代产品更低的导通损耗。据公司介绍，第五代产品的导通电阻比现有方案低约25%，有助于提高汽车牵引系统的整体功率转换效率。

更低的导通电阻直接减少了逆变器中的导通损耗，从而提升了动力传动系统的效率，并能更有效地利用电池能量。因此，整车制造商可以在增加续航里程的同时，实现更紧凑、更高效的动力总成架构。

三菱电机表示，新的SiC MOSFET裸芯片旨在支持高性能逆变器和集成式eAxle系统的持续发展，这些领域中功率密度和效率的提升仍是关键设计目标。该器件有望助力实现系统小型化和功率性能增强，支持行业向更高效率的电动化车辆持续转型。

除效率提升外，三菱电机还强调了其制造工艺技术的进步。这些工艺改进旨在减少器件在整个寿命周期内的长期性能退化，并降低关键参数(如功率损耗和导通电阻)的变化。在汽车环境下，可靠性和耐久性要求极为严格，因此在整个长时间运行过程中保持稳定的电气特性尤为重要。

通过将更低的损耗与更高的一致性及长期稳定性相结合，新型SiC MOSFET旨在增强xEV逆变器和eAxle系统的耐久性与运行性能。

三菱电机计划在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026展览暨会议，以及日本、中国等国际市场的其他行业展会上展示第五代SiC MOSFET裸芯片。此次发布进一步扩展了其面向下一代汽车电气化应用的碳化硅产品组合。