JEDEC 固态技术协会发布了两份新的指导性文件，旨在改进碳化硅(SIC)功率半导体的评估、认证和可靠性测试。这两份出版物分别为 JEP203 和 JEP204，由 JEDEC 的 JC-70.2 碳化硅分技术委员会制定，现可从该协会官网免费下载。

这些新指南旨在应对随着 SiC 器件在电力电子应用(包括电动汽车、工业电机驱动、可再生能源系统和电力基础设施)中日益普及所带来的关键挑战。

JEP203 题为《功率变换晶体管短路评估指南》，为评估功率 mosfet 的短路能力提供了建议。该文件旨在帮助工程师建立更一致的测试方法，改进保护电路设计，并增强系统在故障条件下的鲁棒性。随着 SiC 器件不断实现更高的功率密度和更快的开关速度，理解短路行为对于确保安全可靠运行变得愈发重要。

第二份文件 JEP204 题为《电力电子变换用碳化硅器件应力测试程序目录》，是一份综合性参考资料，涵盖了 SiC 功率器件的可靠性、环境适应性及耐用性测试程序。该文件为评估器件的长期性能和可靠性提供了一个通用框架，帮助制造商、认证工程师和系统设计者采用更一致的评估实践。

JEDEC 表示，这些指南的发布旨在促进行业在测试和认证方法上达成更高程度的一致性，同时增强部署下一代基于 SiC 的功率系统的信心。标准化的评估程序能够通过实现行业内更具可比性和可重复性的性能评估，从而加速技术的采用。

这些文件由 JC-70 委员会制定，该委员会专注于宽禁带半导体的标准化工作。该委员会成立于 2017 年，最初有 23 家成员公司，现已发展到全球超过 70 家参与机构。其成员包括半导体制造商、系统开发商、测试设备供应商、研究机构以及从事氮化镓(GaN)和碳化硅技术研究的学术组织。

JEDEC 指出，该委员会的持续扩展反映出业界对建立宽禁带功率半导体在可靠性、测试方法和电气特性方面的通用标准有着日益增长的兴趣。JC-70 委员会的下一次会议定于 2026 年 7 月 15 日举行，相关工作将继续推进，以支持先进功率半导体技术的更广泛应用。