英飞凌科技股份公司扩展了其抗辐射功率管理器件产品组合，推出RIC70115栅极驱动器。该器件专为氮化镓(GaN)和硅功率晶体管设计，适用于卫星及其他高可靠性航天系统。该驱动器支持低边和高边开关配置，能够在满足现代航天任务严苛可靠性和抗辐射要求的同时，推动基于氮化镓的功率转换架构的应用。

随着卫星星座及其他“新航天”(New Space)平台的部署日益增多，市场对更高效率、更轻重量的高功率密度电力电子器件的需求持续上升。与传统的硅器件相比，氮化镓等宽禁带半导体因其更快的开关速度和更低的开关损耗而得到越来越广泛的应用。RIC70115旨在简化这些技术的集成，提供一款兼容氮化镓HEMT和硅mosfet的抗辐射栅极驱动器。

为提高开关可靠性，该驱动器集成了独立米勒钳位(Miller clamp)功能，可抑制高速开关期间由寄生电容引起的晶体管误导通。该功能有助于在维持稳定运行的同时最大程度降低开关损耗。器件还采用真差分输入(TDI)架构，增强了抗共模噪声、电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)的能力，这些干扰在卫星配电系统中经常遇到。

集成的低压差(LDO)稳压器可在4.75V至15V的输入电压范围内产生稳压的4.8V栅极驱动电源，无需额外外部稳压电路。通过将多种功能集成于单一器件，RIC70115减少了元件数量，简化了电路板设计，并有助于提高长期航天任务中的整体系统可靠性。

该驱动器符合MIL-PRF-38535规范，支持-55°C至125°C的工作温度范围。其抗辐射能力可承受高达100 krad(Si)的总电离剂量(TID)，并且已针对单粒子效应(SEE)进行表征，线性能量转移(LET)耐受值达81.9 MeV·cm²/mg。这些特性使该器件适用于近地轨道以及对长期辐射耐受性要求更高的严苛航天环境。

RIC70115现已上市，同时提供的还有RIC70115EVAL1评估板，为设计人员提供了开发面向航空航天和卫星应用的高效抗辐射功率转换系统的平台。