随着设计工程师认识到FPGA能够减少元件数量、节省电路板空间并降低电路板布局复杂性的价值,FPGA市场迅速增长。
这今天篇文章中,我们将深入研究如何通过单片机(MCU)实现逻辑门系统。这一项目代表了学习过程中的一个具体且引人入胜的步骤,不仅提供了实践之前所学理论知识的机会
SiC MOSFET在开关状态下工作,然而,了解其在某些情况下(如驱动器故障或设计师编程的特定目的)线性工作区的行为也是很有用的,今天我们就来聊聊电源设计之线性工作区中的SiC MOSFET。
为了应对应用需求和独特客户要求的不断提升,英飞凌科技股份公司决定将SiC MOSFET的开发扩展到650V以下的电压范围。
UPS是“Uninterruptible Power Supply”的首字母缩写,也就是不间断电源装置,指的是电力供应网络与需要保护的设备之间的连接设备
MOSFET晶体管能够处理大电压和电流,正是由于这一特点,它被广泛追求连接到电路或微控制器重载,本文将从实践的角度分析如何构建简单的MOSFET开关
在这篇电力电子教程中,我们将研究一种工作温度显著高于环境温度的碳化硅(SiC)整流器的行为。当我们设想一个电路时,可以将其比作一个必须在“高温环境”中工作的电机牵引系统。
高频整流模块是一种重要的电子元器件,广泛应用于各类电子设备中,也是属于功率器件的一种,这篇文章浮思特将深入解析高频整流模块的原理
近日,中国国家集成电路产业投资三期股份有限公司(简称“国家大基金三期”)正式成立,标志着中国半导体产业发展进入新的里程碑。
LED照明技术因其高能效和精细的亮度调控而受到青睐。这些系统提供了调光功能,让用户能够根据个人喜好调节光线亮度,同时减少能源消耗。今天浮思特介绍一种基于8位MCU的开关模式可调光LED驱动器解决方案。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)和晶闸管(SCR)在现代工业控制和电力电子领域,是两种常用的半导体开关元件,它们各自承载着不同的电力调控任务
MOSFET在切换过程中会产生损耗,这些损耗不仅影响了系统的效率,还会导致器件过热,甚至损坏。因此,降低MOSFET的开关损耗是提高整体系统效率和可靠性的关键。
您可以通过改善热传导和散热或减少开关损耗来应对这些挑战。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 都是 WBG 技术,已成为传统硅 (Si) 半导体的可行替代品。
通常,人们会忽视栅极驱动器在优化功率晶体管整体运行方面的作用,就好像 SiC MOSFET 或 GaN HEMT 是独立元件一样。
该计划标志着陕西省在新能源汽车、光伏、智能电网、储能、轨道交通、5G通信和国防军工等关键领域将进一步强化其技术优势,并借助这些优势推动第三代半导体技术的创新与应用。
现代电子应用需要高开关频率才能实现相应的高效率,功率 MOSFET 是高功率应用中的重要组件,它们提供相对较低的栅极电荷,非常适合中高功率用例。
SiC 是一种宽带隙 (WBG) 材料,用作半导体材料时比硅具有多种优势(例如,带隙宽度是硅的 3 倍,击穿电场强度是硅的 10 倍)。与更传统的 Si 或 IGBT 相比,使用 SiC 功率 MOS...
同步整流技术在提升电源转换效率方面发挥着越来越重要的作用,它通过替换传统的整流二极管来减少功率损耗,尤其是在低压高电流输出的应用中效果显著。