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近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET，专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性，还采用了先进的表面贴装(SMD)封...
SiC功率器件因其优异的电气特性和热稳定性，成为传统硅(Si)器件的重要替代品，特别是在高温、高频和高功率的应用场合，表现出明显的优势。
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)场效应管作为一种重要的半导体器件，广泛应用于电源管理、信号放大、开关电路等领域。本文将...
在现代电力电子应用中，IPM(智能功率模块)作为一种集成化的功率控制器件，广泛应用于电动机驱动、电源转换及各种自动化设备中。由于其具有体积小、效率高、功能齐全等优点，IPM模块成为了各种应用场合的首选...
近日，纳维塔斯半导体公司在亚特兰大举行的APEC 2025大会上，宣布推出全球首款双向氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)，此举被业界誉为在可再生能源和电动汽车等高功率应用领域的“范式转变”。
在现代电力电子技术中，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于其优越的电流控制能力和开关特性，在电力变换、逆变器和电动汽车等领域得到了广泛应用。
从家用电器到工业控制，8位单片机因其独特的优势而受到青睐。本文将对8位单片机的特点进行详细分析，以帮助读者更好地理解这一重要的技术。
碳化硅(SiC)是一种重要的宽禁带半导体材料，因其优异的电学和热学性能而备受关注。近年来，随着电力电子技术的发展，碳化硅半导体器件逐渐成为高效能、耐高温和高频应用的重要选择。
近日，三星电子的晶圆代工业务经历了一波新的挑战，市场传言其高度期待的1.4纳米(SF1.4)制程开发可能将面临中断。这一消息引发了行业内外的广泛关注，因为SF1.4制程被视为三星晶圆代工未来发展的核心...
电容触摸芯片通过检测触摸屏表面电容的变化来判断用户的触控操作。当手指接近屏幕时，人体产生的电场会影响屏幕表面的电容值，芯片通过对这些变化进行处理，从而识别出触摸点的位置和状态。
在使用过程中，IGBT的性能可能受到多种因素的影响，例如过载、过热和电压尖峰等，因此定期检测其状态是非常必要的。
在嵌入式系统开发中，32位单片机因其高性能、低功耗和丰富的外设资源，成为众多工程师的首选。然而，面对市场上众多的32位单片机厂家，如何选择适合自己项目的品牌和型号呢
国家统计局2月17日发布的数据显示，2025年1—2月份，全国规模以上工业增加值同比实际增长5.9%，延续了去年以来的复苏态势。其中，2月份环比增长0.51%，工业经济运行呈现平稳回升势头。
LED显示屏作为现代信息展示的重要载体，其核心性能与驱动芯片的选择密切相关。驱动芯片不仅决定了显示屏的亮度、色彩和刷新率，还影响着系统的稳定性和功耗。
光伏模块的功率计算是光伏系统设计的核心环节，直接影响发电系统的经济效益与运行稳定性。本文将深入解析光伏组件功率的计算逻辑，揭示影响输出功率的关键要素。
本文将从IGBT的基本原理、特点及其应用领域进行分析，以期为相关工程师和研究人员提供有价值的参考。
公司等离子体刻蚀设备的全球累计出货量已突破5000台。这一数据不仅彰显了中微半导体在半导体设备行业的强劲增长势头，也标志着其在全球市场中的领先地位。
电源芯片作为电子系统的"心脏"，直接影响着设备的性能和可靠性。在物联网设备、工业控制器、智能穿戴等产品中，超过30%的硬件失效案例与电源系统设计不当有关
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