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  技术简介

  芯联集成立足于场截止型(Field Stop)IGBT结构,采用业界先进的背面加工工艺,包括背面减薄工艺、离子注入、激光退火及特殊金属沉积工艺等。600V~1200V等器件工艺均已实现大规模量产,技术参数可达到业界领先水平,同时提供快恢复二极管(FRD)的代工服务。

芯联集成igbt

  特点

  场截止型(Field Stop)IGBT结构,先进的背面加工工艺,和灵活的金属层次选择,可以为客户提供定制化工艺研发和大规模量产解决方案。

芯联集成igbt

  应用产品

  可广泛应用于工业变频、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业。

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