浮思特科技
产品中心技术简介
芯联集成立足于场截止型(Field Stop)IGBT结构，采用业界先进的背面加工工艺，包括背面减薄工艺、离子注入、激光退火及特殊金属沉积工艺等。600V~1200V等器件工艺均已实现大规模量产，技术参数可达到业界领先水平，同时提供快恢复二极管（FRD）的代工服务。
特点
场截止型(Field Stop)IGBT结构，先进的背面加工工艺，和灵活的金属层次选择，可以为客户提供定制化工艺研发和大规模量产解决方案。
应用产品
可广泛应用于工业变频、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业。
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芯联集成-IGBT