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本文分析了将隔离驱动器与氮化镓高电子迁移率晶体管集成到半桥功率级中，如何最大化能量密度，从而突破高可靠性降压变换器在重量和体积方面的传统限制。
尤其是在高功率、高密度电子设备中，稳定高效的散热系统已经成为保障产品寿命与性能的重要环节。因此，选择一家可靠的NMB散热风扇代理商
双有源桥(DAB)是固态变压器(SST)中备受青睐的DC-DC转换方案。在这些转换器中使用碳化硅(SiC)功率开关，在效率、功率密度和先进的SST拓扑结构方面带来了诸多优势。
最近，超结(SJ)架构的出现，进一步将其性能推向新的高度。采用超结技术的SiC MOSFET有望在RDS(on)、更高击穿电压(BV)、降低开关损耗和短路耐受能力方面带来进一步改进。
然而，即使使用补偿良好的探头和充足的带宽，高压测量仍可能不准确。这是因为在实际高压系统中，测量点几乎从来不是电中性的，这就是为什么数据手册很少提及这一点。
通过将肖特基和PiN两种二极管结构集成在单一的单片器件中，碳化硅MPS二极管克服了以往在低导通损耗、高阻断能力和坚固耐用性之间的权衡取舍。
双有源桥(DAB)变换器是固态变压器(SST)中备受青睐的直流-直流转换方案。在这些变换器中使用碳化硅(SiC)功率开关，在效率、功率密度和先进的SST拓扑结构方面带来了诸多优势
在电子电路设计中，有一个元件频繁出现在电源管理、电机驱动、开关电源等各类方案里，它就是MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
半桥是各种类型的功率变换器中最具代表性、最基本的结构之一，适用于输出功率从几百瓦到 1 千瓦的应用。该电路的实现相当简单，只需两个串联在直流电压源上的功率开关
就组装功率器件的性能和持有成本而言，甲酸焊接能带来哪些优势?在本文的第一部分中，我们介绍了该工艺的基本原理;作为接下来的第二部分
在电机驱动、电源变换等应用中，IPM(智能功率模块)因其高度集成、可靠性强而被广泛使用。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种结合了MOSFET和BJT优点的功率半导体器件，既具备MOS管的高输入阻抗、驱动简单的特点，又拥有双极型晶体管低导通...
电源开关和保护器件的设计，一直在机电继电器(EMR)和固态半导体开关(如 SiC MOSFET 和 SiC JFET)之间进行权衡。
升压型直流电源变换器芯片是一种DC-DC电源管理芯片，主要功能是将输入的低电压转换为更高的稳定输出电压。例如，将3.7V锂电池电压升压至5V或12V
人工智能的崛起导致数据中心的电力需求大幅增长，预计 AI 服务器机架的功率水平将达到兆瓦级。相应地，服务器机架架构将演变为分离的 IT 机架和侧挂式电源机架，如下图 1 所示。
超宽禁带(UWBG)材料，例如氧化镓(Ga₂O₃)，有望提升未来高压功率转换应用的效率。然而，要将其理论优势转化为实用的功率器件，需要克服从衬底生长、掺杂到器件设计和封装的诸多障碍。
在工业自动化、新能源、电力电子等领域中，电流检测的精度与稳定性直接关系到系统性能与安全性。而在众多电流检测技术中，磁通门电流传感器凭借其高精度、低漂移等优势，正
所有这些都与双向功率流密不可分。以车辆到家庭(V2H)应用中的电动汽车(EV)车载充电器(OBC)为例。
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