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随着第七代IGBT的兴起，电力电子设计师正面临一个新的现实：开关速度不再受限于晶体管本身，而是越来越多地受限于快速恢复二极管。
超结(SJ)电荷平衡概念已成功应用于硅(Si)MOSFET功率器件中。如今，人们更加关注利用这一技术来改善宽带隙(WBG)功率器件的性能指标。
即使内部存在微小的累积损伤，隔离屏障仍能继续工作——阻挡高压、传输信号，并将泄漏电流维持在正常范围内。
在电子电路设计中，工程师经常会遇到这样一个灵魂拷问：肖特基二极管和快恢复二极管(FRD)到底能不能互相替代?
机器人工程师很少抱怨空间过剩——事实往往恰恰相反。每一代新机器人系统都被期望比上一代更轻、更小、更快、能力更强
可再生能源领域的功率转换系统对高效率和紧凑设计的需求日益增长。这一要求使得基于氮化镓(GaN)技术的FET成为400 VDC链路电压下单相应用的首选解决方案
保护电路的方法不计其数，每种方法都旨在应对特定的工作条件和不同的故障情况。在本课程的前几期中，我们已经研究过其中的一些方法，分析了它们的工作原理和主要应用。本文
在5G通信、新能源汽车、工业自动化与消费电子快速迭代的今天，电源管理芯片(PMIC) 作为电子设备的“心脏”，其性能直接决定了整机的能耗、稳定性与寿命。
光学相控阵激光雷达(OPA LiDAR)利用集成光子学实现电子束扫描。这种方法对激光脉冲驱动提出了很高的要求。
高速、高压转换器常常面临可靠性问题。栅极驱动器不仅仅是一个控制接口;它也可能是一个主要的故障点。在半桥逆变器中，即使是一次小于100纳秒的短暂寄生导通
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是用于电动汽车(EV)以及风力涡轮机和光伏(PV)系统等可再生能源技术中的高功率半导体开关。
位于德国开姆尼茨的Saxogy Power Electronics公司，二十多年来一直致力于为电力电子应用领域开发安全测试台和电子系统的定制化解决方案。
作为一种宽禁带半导体器件，碳化硅(SiC)凭借其卓越的物理特性，正在悄然改变电动汽车、光伏储能及工业电源的格局。
其中，方形封装肖特基二极管凭借优异的散热性能和较高的电流承载能力，正被越来越多的电源设计工程师所采用。那么，方形肖特基二极管究竟有什么作用
三电平飞跨电容无桥图腾柱PFC(3L-FC-BTP-PFC)正是满足这些要求的一种架构。本文将概述这种拓扑结构，重点关注基于宽禁带(WBG)半导体的实现方案。
太空领域正在经历深刻变革，这一点从当前媒体对即将重磅IPO的热议中便可窥见一斑。
博世第三代SiC MOSFET凭借其先进的沟槽设计脱颖而出，显著优化了电动汽车动力总成的效率。
本文探讨配电变压器的工作原理，以及对接地变压器的电压调节和系统性能影响最大的连接决策。
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