近日，半导体企业迈来芯(Melexis)正式发布一款专为碳化硅(SIC)功率模块量身打造的1200V单片硅RC缓冲器。该产品以裸片或晶圆两种形态供货，可直接部署于SiC模块的每个开关器件，有效解决SiC器件因高转换速率(高di/dt与高dV/dt)带来的振荡、电压过冲及电磁干扰等行业痛点，为汽车等高端功率应用领域提供新的解决方案。

SiC功率模块虽在能效与功率密度上优势显著，但寄生振铃问题始终困扰行业。典型半桥电路开关时会形成RLC谐振回路，元件引脚、互连线路等引入的寄生电感，与有源器件非线性特性带来的寄生电容相互作用，产生特定频率振铃。传统分立RC缓冲器虽能缓解此问题，却存在占用板级空间大、电路复杂度高的弊端，且自身寄生参数会削弱高频场景下的抑制效果。

迈来芯这款新品通过单片硅集成设计实现突破。其核心为串联的电阻与电容结构，可精准阻尼变换器换流回路中寄生电感引发的振荡。产品参数支持出厂定制，电容范围0.2-5.8nF、电阻范围1-35Ω，能适配不同场景的谐振频率需求——鉴于寄生参数的不可预测性，实际应用中需先实测谐振频率再匹配参数。该缓冲器可承受1000VDC工作电压及200℃高温，完全适配功率模块的严苛工况。

在核心应用场景汽车领域，该缓冲器表现突出。SiC器件广泛用于牵引逆变器、车载充电器等核心部件，这款缓冲器可将开关损耗降低13%，并彻底消除振荡，同时降低电机漏电流，显著提升整车电驱系统性能。

值得注意的是，该产品的适配性远超SiC领域。迈来芯技术代表表示，其在氮化镓(GaN)及IGBT器件中同样适用，尤其在高开关速度、高电压场景中价值凸显。即便GaN器件因特性限制多用于中低压领域，仍有客户选用该缓冲器抑制其超高开关频率下的振铃。

封装工艺上，该缓冲器背面可通过焊接或烧结固定于直接键合铜(DBC)基板，正面采用铝键合线实现电气互连，适配功率模块的主流组装流程。目前，该产品已为SiC功率模块的性能升级提供关键支撑，有望加速高功率半导体器件在汽车等领域的规模化应用。