Onsemi近期宣布，其650V和950V EliteSIC mosfet现已在行业标准、广泛采用的T2PAK封装中提供，以实现顶面冷却(TSC)。

这些封装与液体间隙填充物、垫片和陶瓷绝缘体兼容，并符合IEC 60664-1爬电标准(最小5.6毫米)。该设计支持多种Rds(on)选项，包括6 mΩ、23 mΩ、32 mΩ、45 mΩ和60 mΩ，提供了更大的设计灵活性。

这是Onsemi第二次推出TSC封装，之前在2022年11月推出的TCPAK57封装用于其低/中压40V、60V和80V N沟道功率MOSFET。

TSC封装相较于常用的表面贴装(SMD)D2PAK和引线TO-247-4L封装，在热性能方面提供了显著的热改善。虽然TO-247-4L可以方便地连接散热器，并消除了TO-247-3L中存在的共源电感问题，但在空间受限的应用中，它可能仍会导致比预期更大的换相回路。D2PAK通过其SMD设计缓解了这一问题，但它通过PCB散热。

TSC封装提供了MOSFET与应用散热器之间的直接热耦合，而T2PAK则依赖于PCB通过其大排水垫散热。因此，从热散热方程中去除热绝缘PCB材料，并直接连接到系统的冷却结构，使得在12 mΩ的器件下，结到散热器的热阻低至0.35 °C/W。

除了其热优势外，T2PAK在与Onsemi的EliteSiC MOSFET结合时，还提供了低杂散电感。

T2PAK通常用于电动车应用，包括车载充电器(OBC)、动力传动系统组件和直流快充。这些封装在可再生能源和人工智能数据中心设计中也逐渐占据了重要地位，主要得益于其固有的热效率和在直接冷却芯片(D2C)中的强大能力。

其他Onsemi的EliteSiC MOSFET还提供替代的TO247-3LD、TO247-4LD、D2PAK-7LD和无引线TO(TOLL)封装。