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随着小型化需求的日益增长，将逆变器的基本功能单片集成到GaN集成电路中已成为一项严格要求。尽管这种集成对半导体制造商构成了重大挑战
在更广阔的背景下，硅之所以能继续占据关键地位，是因为它在系统级平衡最为重要的领域持续演进。英飞凌在器件架构、晶圆技术、封装和针对特定应用的优化等方面不断推进硅功率MOSFET技术
该模块集成了半桥配置的80V MOSFET，并针对带式启动发电机系统、能量回收功能以及紧凑型电动牵引平台进行了优化。Vishay表示，与基于分立元件的传统方案相比，该解决方案可减少高达15%的PCB空...
单片机最小系统通常指让单片机能够正常运行的最基础电路结构，一般包括电源电路、时钟电路、复位电路以及基础下载/调试接口。它的作用是保证单片机稳定启动并执行程序，是所有功能扩展的基础平台。
在功率电子设计领域，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是逆变器、变频器、焊机等设备的核心元件。而工程师面临的首要问题往往是：该选IGBT单管，还是IGBT模块?
通常运行在4至35千伏电压等级的一次配电系统，其设计师们正面临新的规划与运行环境。驱动这一变化的因素包括
升压式变换器(Boost Converter)作为一种常见的DC-DC电源转换电路，凭借其高效率和灵活性，被广泛应用于各种电子系统中。
升压式变换器(Boost Converter)作为一种常见的DC-DC电源转换电路，凭借其高效率和灵活性，被广泛应用于各种电子系统中。
包括高 k 金属栅极、FinFET、EUV 光刻、纳米片晶体管、背面供电、互补 FET 和高数值孔径 EUV 等多项创新
本文总结了一种新颖的概念方案，该方案基于对分立SiC功率器件的重新封装，构建出高性能智能功率模块(IPM)，在成本、定制化和灵活性方面具备优势。
这两款新设计针对英伟达Kyber液冷刀片式机架平台进行了优化，旨在满足高密度人工智能基础设施中对高效、节省空间的辅助电源系统日益增长的需求。
随着工业自动化、通信设备、新能源汽车、医疗设备以及数据中心等行业的快速发展，电子设备的功率密度不断提升，散热问题已成为影响设备稳定性和寿命的重要因素。而在众多散
电网现代化被认为是满足未来电力需求的关键要求。直流电网提高了功率变换和配电效率，并且与分布式可再生能源和电池储能系统具有更好的兼容性。
当今的计算工作负载日益繁重，服务器机架功耗现已超过 2 千瓦。这使得传统冷却方法逼近其物理极限，意味着热设计已成为下一代数据中心架构师的首要考量
TDK公司宣布推出FS3303型号，这是其micro POL系列超小型非隔离直流-直流电源模块大规模扩充的首款产品，该系列主要面向人工智能边缘系统中的光模块及其他空间受限的设计。
什么是开环霍尔电流传感器?它的工作原理和应用优势有哪些?本文将进行详细解析。
随着新能源汽车、光伏逆变器、储能系统以及工业电源的发展，SiC MOSFET(碳化硅MOSFET)逐渐成为高效率电力电子系统中的核心器件。相比传统硅基MOSFE
有效管理这两类故障——消除系统性缺陷和控制随机硬件故障——对于达到所需的安全完整性等级(SIL)至关重要。
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