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英飞凌科技股份公司扩展了其抗辐射功率管理器件产品组合，推出RIC70115栅极驱动器。该器件专为氮化镓(GaN)和硅功率晶体管设计
低损耗高压直流(HVDC)输电系统是未来脱碳发电与配电战略的关键组成部分。基于传统晶闸管的电网换相换流器(LCC)已在HVDC系统中得到广泛应用
氮化镓(GaN)功率器件正推动功率转换系统进入高效率、高功率密度的新时代，广泛应用于汽车、工业、机器人、可再生能源和数据中心等领域。
近日，据国内多家集成电路设计企业证实，已陆续接到全球晶圆代工龙头台积电关于上调成熟制程代工价格的通知。
近年来，在制造业自动化需求不断增长的推动下，工业机器人在工厂中的应用迅速扩大。这一趋势在很大程度上归因于劳动力短缺以及多品种
东芝电子元件及存储装置株式会社推出了TPM1R408RH，这是一款采用其最新U-MOS11-H工艺技术制造的80V N沟道功率MOSFET。
Zeta转换器是一种非隔离型降压-升压转换器，具有输出纹波低且传递函数中不存在明显右半平面零点的特性，这使得环路补偿变得容易得多
Allegro MicroSystems 推出 A81415 型车规级电源管理 IC(PMIC)，该器件在单一芯片内兼具 ASIL-D 功能安全等级与集成式轮速传感器接口。
这种电力增长不仅源于数据中心数量的增加，更源于其功率密度的迅速提升。用于AI的最新图形处理器(GPU)功耗已超过1千瓦，较上一代的500瓦大幅增加
英飞凌科技公司日前在德国德累斯顿正式启用了其智能功率晶圆厂，这是该公司历史上最大的一笔单项投资
随着第七代IGBT的兴起，电力电子设计师正面临一个新的现实：开关速度不再受限于晶体管本身，而是越来越多地受限于快速恢复二极管。
中国市场表现尤为突出，同比增长率达到88.8%，领跑全球主要半导体消费地区。欧洲和日本市场同样保持强劲增长势头，分别实现了60.7%与23.8%的同比增幅
超结(SJ)电荷平衡概念已成功应用于硅(Si)MOSFET功率器件中。如今，人们更加关注利用这一技术来改善宽带隙(WBG)功率器件的性能指标。
东芝电子欧洲公司扩展了其N沟道功率MOSFET产品组合，新增九款器件，主要面向工业设备内部的电源线路。
即使内部存在微小的累积损伤，隔离屏障仍能继续工作——阻挡高压、传输信号，并将泄漏电流维持在正常范围内。
随着2026年第二季度收官，全球微控制器(MCU)市场呈现出一轮显著的备货行情。受生产成本上涨预期及晶圆代工产能排挤效应影响，个人电脑等消费电子领域的客户自上半年起纷纷加大采购力度
在电子电路设计中，工程师经常会遇到这样一个灵魂拷问：肖特基二极管和快恢复二极管(FRD)到底能不能互相替代?
机器人工程师很少抱怨空间过剩——事实往往恰恰相反。每一代新机器人系统都被期望比上一代更轻、更小、更快、能力更强
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