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以碳化硅(SiC)功率半导体器件为代表的第三代半导体，正成为功率电子领域的重要发展方向。本文将从器件特性、主流类型及应用场景等方面，对 SiC 功率半导体进行系统介绍。
从芯片到冷却系统的整体供电方案必须跟上这一扩张趋势，这体现在800V数据中心架构的推进
本文总结了一款适用于高功率数据中心的1500安培、48V转1V负载点转换器。
相比普通整流二极管，它最大的特点就是反向恢复时间短、开关损耗低，能够适应更高频率的工作环境。
对于电动车而言，这片塑料薄膜所起的作用，丝毫不亚于它所隔开的高容量电极。它看似只是一个简单的物理屏障，但其制造工艺、功能特性和未来前景却使其成为一个复杂的组件。
输入总线电过应力管理。宽总线电压范围、瞬态波动、尖峰脉冲及欠压工况，均对电力电子设计师构成了严苛的约束条件。
在便携设备、工业控制、车载电子以及新能源系统中，升压变换器(Boost Converter)几乎无处不在。但很多工程师在设计初期，往往更关注控制芯片本身，却忽略
碳化硅肖特基二极管到底好在哪里?它相比传统硅肖特基二极管有哪些明显优势?
家用充电会给家庭电力系统带来显著干扰，包括中性线电流升高和电压波动等。这可能影响家用电器的稳定性和使用寿命。因此，随着道路上部署的电动汽车越来越多
沟槽肖特基二极管(Trench Schottky Barrier Diode)作为功率电子领域的一项重要创新，正成为开关电源、新能源转换和高效整流应用中的关键元件。
本文将从行业角度梳理目前常见的红外热成像模组品牌，并结合实际应用，重点介绍近年来关注度较高的迈瑞迪红外热成像模组。
事实显而易见：氮化镓在光伏微型逆变器中的作用正在增长——但这种宽禁带材料最终会取代硅，成为面板级直流-交流转换中最广泛使用的半导体吗?
电流传感器和电流互感器是不是一回事?能不能互相替代?答案其实并不复杂，但细节决定成败。
本文将从应用和设计角度，系统梳理直流升压变换器的核心优点，并结合实际方案，简单聊一聊矽力杰(Silergy)升压变换器在工程中的应用优势。
相比较早的1000V系统，1500V大型太阳能组串式逆变器因其更高的成本效益和效率优势正被广泛应用。持续优化这两项指标的关键在于功率转换拓扑结构及所用有源/无源器件的进步
在电源设计、马达驱动、逆变器等应用中，MOSFET 几乎是必不可少的核心器件。但不少工程师在选型时，面对一大堆参数表常常一头雾水：耐压该看哪个?导通电阻越小越好
开发理想的碳化硅(SiC)技术需要不断权衡——既要优化器件效率，又要发挥SiC MOSFET固有的高耐压特性。
本研究的目标是在高达350 kHz频率下，于半桥电路中评估当前主流的1200 V SiC功率MOSFET在ZVS条件下的表现，为设计超高效率、高密度软开关转换器的工程师提供清晰的器件选择标准。
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