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基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的宽禁带(WBG)功率半导体器件能够实现更高的功率转换效率。
参数看起来差不多，价格差异却很大;能测量不代表“测得准、用得久”。那么，电压电流传感器到底该怎么选?
DC-DC升压转换器芯片(又称Boost转换器芯片)作为实现这一功能的核心器件，凭借高效的能量转换能力和稳定的输出特性，成为现代电源管理系统的关键组成部分。本文将深入拆解其工作原理，带您读懂能量“升级...
在高压IGBT和SiC模块中，热失控不仅仅是结温超过安全限值的情况，它代表着一个正电热反馈回路的升级过程：温度升高会增加电损耗，而这些损耗的增加又会产生更多热量。
高效电源转换公司空间部门在先前的文献中已经证明了增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的可靠性，这篇文章的目的是更全面地表征这些HEMTs的单粒子效应响应，同时改变重离子入射器件时的穿透角度。
这篇文章的目的是更全面地表征这些HEMTs的单粒子效应响应，同时改变重离子入射器件时的穿透角度。
与通孔封装相比，碳化硅(SiC)MOSFET和二极管的表面贴装封装具有若干优势。如今，这主要源于市场对紧凑、高效且运行温度低的系统的需求
本文将围绕电源管芯片分类进行系统梳理，帮助工程师和采购人员更清晰地理解不同类型电源管芯片的特点与应用场景，也有利于搜索引擎对专业内容的识别与收录。
随着新能源、工业自动化和高端电源设备的快速发展，传统硅功率器件在效率、功率密度和耐高温方面逐渐暴露出瓶颈。碳化硅(SiC)功率模块，正是在这样的背景下
电力电子技术作为当今普遍电气系统中的重要组成部分，是另一个受益于人工智能部署的领域。电力电子设计常常类似于一种工程艺术，其中创造力、直觉和经验与基础的数学和物理规则相辅相成。
以碳化硅(SiC)功率半导体器件为代表的第三代半导体，正成为功率电子领域的重要发展方向。本文将从器件特性、主流类型及应用场景等方面，对 SiC 功率半导体进行系统介绍。
从芯片到冷却系统的整体供电方案必须跟上这一扩张趋势，这体现在800V数据中心架构的推进
本文总结了一款适用于高功率数据中心的1500安培、48V转1V负载点转换器。
相比普通整流二极管，它最大的特点就是反向恢复时间短、开关损耗低，能够适应更高频率的工作环境。
对于电动车而言，这片塑料薄膜所起的作用，丝毫不亚于它所隔开的高容量电极。它看似只是一个简单的物理屏障，但其制造工艺、功能特性和未来前景却使其成为一个复杂的组件。
输入总线电过应力管理。宽总线电压范围、瞬态波动、尖峰脉冲及欠压工况，均对电力电子设计师构成了严苛的约束条件。
在便携设备、工业控制、车载电子以及新能源系统中，升压变换器(Boost Converter)几乎无处不在。但很多工程师在设计初期，往往更关注控制芯片本身，却忽略
碳化硅肖特基二极管到底好在哪里?它相比传统硅肖特基二极管有哪些明显优势?
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