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这一协议的达成，标志着罗姆在GaN功率元件生产领域迈出了关键一步，计划在其集团内部建立完整的GaN功率元件生产体系，以应对市场日益增长的需求。
进入2025年以来，DRAM(动态随机存取存储器)与NAND闪存的价格呈现出强劲的同步上涨态势，其中DRAM价格更是再次刷新了历史最高纪录。
TDK 公司正式发布 B43655 与 B43656 系列铝电解电容器，该系列产品专为电动汽车车载充电机(OBC)直流链路应用量身打造。
该系列产品以更高的集成度、更快的开关性能以及更完善的系统级功能，面向消费电子和工业电源市场，进一步拓展了 GaN 技术在实际应用中的落地空间。
近日，全球领先的电源半导体公司Navitas Semiconductor正式发布了其最新研发的10 kW DC-DC电源转换平台。
据东芝电子设备与存储公司公布，已开始提供 TB9104FTG 的工程样品。
这一新兴的电力半导体技术旨在满足电动汽车、可再生能源及数据中心等领域对高性能组件日益增长的需求。
在2025年7月宣布交易并获得所有必要的监管批准后，意法半导体已完成对恩智浦半导体MEMS传感器业务的收购
CISSOID 近日发布了 CMT-PLA1BL12300MA，一款额定 1200 V、300 A 的半桥 IGBT 功率模块，面向需要在效率、可靠性与成本之间取得平衡的工业电力变换系统
从制造角度看，向300毫米的转变将改变衬底供应和芯片制造的单位经济性。更大的晶圆在理论上每片晶圆可产生的芯片数量更多，并且在设备组合能够支持这一规格时，可以提高设备利用率。
近日，Vishay Intertechnology 宣布推出五款新的 1200 V 硅碳化物(SiC)MOSFET 功率模块，旨在提升中高频应用的电源效率。
官方数据揭示，2025年中国集成电路产量达到4843亿块，出口增长为17.4%。
AOS 推出 αMOS E2 600V 超结 MOSFET 的首款器件 AOTL037V60DE2，标志着 Alpha and Omega Semiconductor 在高性价比、高效率高功率密度的高...
近日，全球存储芯片产业迎来新一轮扩产与投资高潮。美光科技宣布，其位于新加坡的现有 NAND 闪存制造园区内，一座先进晶圆制造厂已正式破土动工。
STUSB4531 USB PD受电控制器的核心集成了一套经认证的硬连线USB PD协议栈，并结合意法半导体的AUTORUN算法，无需软件即可实现自主电源协商、监测和管理。
SK海力士首次公开了其最新研发的16层高带宽内存(HBM4)存储器。这款革命性的存储器以其8GB的容量和卓越的性能吸引了众多参展者的目光，标志着高性能计算和人工智能领域的又一次技术飞跃。
Magnachip半导体公司近期宣布推出一系列新型绝缘栅双极晶体管(IGBT)，这些产品专门为太阳能逆变器和工业储能系统(ESS)设计，旨在满足当前对高效率和高功率密度的迫切需求
维沙半导体公司(Vishay Intertechnology, Inc.)近日宣布推出四款新型100 V第二代沟槽MOS障碍肖特基(TMBS)整流模块，标志着其在高效能电源设备领域的进一步扩展。
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