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据韩国媒体Thelec报道，三星电子近日宣布计划在美国德克萨斯州奥斯汀的工厂投资190亿美元，以安装先进的生产设备，专门用于生产为苹果公司供应的CMOS图像传感器(CIS)
这项合作旨在共同开发和制造先进的氮化镓(GaN)电力产品，首批产品将基于GF最新的200mm增强模式(eMode)氮化镓硅(GaN-on-silicon)工艺，重点推出650V级的解决方案。
日本电子集团罗姆电子(ROHM)官方宣布，已与印度塔塔电子(Tata Electronics)达成战略合作协议，双方计划共同在印度生产功率半导体器件。
根据业内人士的最新预测，2026年的车用芯片市场将迎来新一轮变化，但对于这一市场的未来，行业内的不同角色表现出截然不同的态度。
全球11大半导体厂商在2025年第三季度的净利润同比激增130%，达到了801亿美元，这一数字创下了自2010年以来的单季度利润新高
相较于上一代 EMIPAK 功率模块，威世新款模块显著降低了寄生电感这一关键性能瓶颈，使内部碳化硅 MOSFET 能够在更高频率下高效开关，进而有效缩小整体解决方案的尺寸。
氮化铝作为一种半导体材料，因其出色的物理和电气特性而备受瞩目。近年来，5G系统主要依赖氮化镓(GaN)，这种材料因其兼具高击穿电场和高饱和速度而成为热门选择。
近期，Wolfspeed公司宣布与丰田汽车公司达成合作，为其电池电动汽车(BEV)系列提供汽车级硅碳化物(SiC)MOSFET。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布正式关闭其位于美国亚利桑那州钱德勒市的ECHO Fab晶圆厂，同时全面退出基于氮化镓(GaN)技术的5G射频功率放大器(PA)芯片制造业务。
罗姆半导体宣布，旗下采用紧凑型 TOLL(无引脚晶体管)封装的 SCT40xxDLL 系列碳化硅(SiC)MOSFET 已全面量产。相较于传统 TO-263-7L 封装器件
高压应用碳化硅(SiC)解决方案设计商 SemiQ 公司宣布，其第三代 QSiC MOSFET 产品组合新增七款 1200V 功率模块，专为电机驱动、工业逆变器
Onsemi近期宣布，其650V和950V EliteSiC MOSFET现已在行业标准、广泛采用的T2PAK封装中提供，以实现顶面冷却(TSC)。
近日，半导体企业迈来芯(Melexis)正式发布一款专为碳化硅(SiC)功率模块量身打造的1200V单片硅RC缓冲器。
意法半导体(STMicroelectronics)近日发布了其全新的VIPerGaN65W反激变换器，该产品在VIPerGaN系列中引入了一款集成700V氮化镓
Navitas近期宣布推出其全新的3300V和2300V超高压(UHV)硅碳化物(SiC)产品，这些产品涵盖了功率模块、分立器件和已知良品(KGD)格式。新推出的分立SiC MOSFET可在TO-24...
近日，三安光电旗下的湖南三安半导体在长沙举行了一场碳化硅芯片上车仪式，标志着该公司与理想汽车的合作迈出了重要的一步。
华为近期发布的一系列专利，展示了SiC在热管理和电磁管理方面的新应用。与传统上将SiC用作功率晶体管不同，华为将其作为热和电磁管理材料，深入到人工智能(AI)和计算硬件的物理架构中
意法半导体(STMicroelectronics)近日发布了其最新的单通道低侧开关集成电路——IPS1050LQ。该集成电路专为满足工业应用中对过流保护和高效能的需求而设计
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