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日本在SiC产业的发展上曾一直走在全球前列，国家也将其视为战略资源，投入了大量资金和技术支持，以推动本土SiC长晶技术的进步。然而，近期的一些变化表明，日本政府的支持政策正在发生显著转变。
罗姆半导体(Rohm Semiconductor)宣布，其生产的碳化硅(SiC)功率半导体元件已被德国汽车零部件制造商舍弗勒(Schaeffler AG，前身为Vitesco Technologies...
近日，英飞凌电子事业部资深副总裁Hans Adlkofer在一次行业交流会上分享了公司在车用电子领域的最新进展和未来规划，特别是在基于RISC-V架构的车用微控制器(MCU)研发方面
近日，Wolfspeed公司宣布正式将其200毫米硅碳化物(SiC)材料产品推向商业市场，这一举措标志着该公司在加速电力设备技术从传统硅材料向SiC材料转型方面取得了重要进展。
在最新的财务分析中，德州仪器(Texas Instruments，简称TI)的财务长Rafael Lizardi在参加花旗全球TMT大会时透露，由于汽车产业复苏乏力以及关税政策的不确定性
近日，韩国SK海力士宣布完成对原“英特尔半导体存储技术(大连)有限公司”的全面接手，工商变更手续已顺利完成，该公司正式更名为“爱思开海力士半导体存储技术(大连)有限公司”。
近日，ROHM半导体公司与德国汽车制造巨头舍弗勒宣布，已开始大规模生产基于碳化硅(SiC)技术的下一代高压逆变器砖。这款逆变器砖采用了ROHM最新研发的SiC
印度正在加速推动半导体产业的发展，目标是在2025年底前成功生产出首颗商用电脑芯片。
根据最新的供应链消息，12寸碳化硅(SiC)基板有望进入半导体先进封装领域，以应对这一挑战。碳化硅作为一种优良的半导体材料
据最新报道，全球领先的半导体制造公司台积电(TSMC)计划在2026年对其先进制程的晶圆代工报价进行5%至10%的调涨。这一决策的背后，主要是为了应对近年来供应链中断对公司利润率的影响
近年来，全球人工智能(AI)技术的竞争日益激烈，各国纷纷加大投入，以实现技术的突破和产业的升级。
根据最新的供应链消息，全球领先的半导体制造公司台积电(TSMC)在中国台湾中科的新厂预计将于10月正式动工。这一项目的总投资金额高达1.2万亿至1.5万亿新台币
英飞凌科技公司近日宣布，正式扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V G2产品系列，并推出全新的75 mΩ型号。这一举措旨在满足当下电子系统对高功率密度和高效率的不断增长需求
宣布一项雄心勃勃的投资计划：未来10年内对印度投资10万亿日圆(约合680亿美元)。该计划旨在加强日本与印度在半导体、人工智能(AI)、稀土等关键领域的合作。
东芝电子与山东天岳先进达成了一项关于碳化硅(SiC)功率半导体用衬底的基本合作协议。这一合作将促使双方在技术与商业层面展开深入协作，旨在提升SiC功率半导体的性能和品质
瑞萨电子(Renesas Electronics)宣布推出其最新的高性能降压控制器。这两款集成电路采用了先进的三电平降压拓扑结构设计，特别针对USB-C应用中的电池充电和电压调节进行优化
根据中国汽车工业协会最新发布的数据，2025年1月至7月，中国汽车市场迎来了一波强劲的增长，汽车产销量分别达到了1823.5万辆和1826.9万辆
近日，英诺赛科(Innoscience)正式宣布其第三代700V增强型氮化镓(GaN)功率器件系列全面上市。这一新系列的推出，标志着英诺赛科在氮化镓技术领域的持续创新与突破
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