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在电源转换技术不断进步的背景下，瑞萨电子(Renesas Electronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaN FET)，专注于满足数据中心、工业以及电动交通应用对高效能和高密...
根据韩国媒体Chosun Biz的报道，三星电子的晶圆代工事业部正在全力押注其2纳米制程技术，目标是在2025年内实现良率提升至70%。
根据美国半导体行业协会(SIA)发布的最新数据，2025年5月全球半导体销售额达到590亿美元，较2024年5月的492亿美元增长了19.8%。
近日，台积电(TSMC)宣布计划于今年晚些时候在德国慕尼黑设立其在欧洲的首个芯片设计中心。这一举措标志着台积电在全球扩展其设计能力，加强与欧洲市场的联系。预计该设计中心将在今年第三季度投入运营
近日，深圳市发展和改革委员会宣布设立总规模达50亿元的“赛米产业私募基金”，旨在通过“政策+资本”的方式支持半导体与集成电路产业的全链条优化和升级。
近日，全球半导体制造巨头台积电(TSMC)宣布将逐步退出氮化镓(GaN)晶圆代工业务，预计在未来两年内完成这一过渡。这一决定引起了行业的广泛关注
随着全球对氮化镓(GaN)半导体需求的快速增长，英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)正在积极布局，以巩固其在GaN市场的领先地位。
近期，ROHM半导体公司发布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。这款器件专为48V电源架构中的热插拔电路设计，广泛应用于AI服务器及工业电源，尤其是在需要电池保护的场合。
据报道，东京大学的研究团队近日成功开发出一种基于掺镓氧化铟(InGaOx)晶体材料的新型晶体管。这一创新在微电子技术领域引起了广泛关注，标志着微电子器件性能提升的重要突破。
近日，彭博社报道，国家集成电路产业投资基金三期(以下简称“大基金三期”)正计划将投资重点放在微影技术、芯片设计工具等关键领域。
瑞萨电子(Renesas Electronics)近期在一场媒体发布会上宣布，将其原定于2030年实现的营收目标推迟至2035年。这一决定反映了嵌入式半导体行业的剧烈变化
ROHM半导体公司最近推出了一款专为高压氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)设计的隔离栅驱动集成电路(IC)——BM6GD11BFJ-LB。
根据统计数据，深圳市目前拥有集成电路企业727家，与去年相比增长了11.2%。在这些企业中，设计企业占据了绝对的主体地位，数量高达456家，占总数的62.8%。
Wolfspeed, Inc.近日宣布，公司已与主要贷款方达成了一项重组支持协议(RSA)，这一举措旨在加强其资本结构，为未来的增长奠定基础。
据韩媒ET News报道，三星电子近日在半导体领域取得了重要进展，成功开发出采用小芯片(Chiplet)封装技术的4纳米制程AI芯片，并已完成首批试制品的效能评估。
近日，韩国媒体报道，LG Display(LG显示)董事会批准了一项高达1.26万亿韩元(约合9.169亿美元)的投资计划，旨在开发下一代OLED(有机发光二极管)技术。此举旨在进一步巩固该公司在全球...
近日，东芝公司宣布开发了两项创新技术，旨在降低碳化硅(SiC)功率器件中的导通损耗。这些技术主要集中在沟槽MOSFET和半超结肖特基势垒二极管(SBD)上，旨在应对全球对高效能电力电子器件日益增长的需...
近日，北京大学重庆碳基集成电路研究院在重庆宣布，国内首条碳基集成电路生产线已正式投运，并进入量产阶段。这一里程碑式的进展标志着中国在碳基集成电路领域取得了重要突破
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