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直接在硅上生长氮化镓会立即带来一个问题：在典型的工艺温度下，镓(Ga)和硅会发生化学反应。硅会融入镓中，形成无法使用的合金。
全球正朝着更快充电和更小电动汽车尺寸的方向发展，这反过来要求电力电子在更小的空间内实现更多功能。对工程师而言，这些要求意味着旧有的"孤立"工作方式已经过时。
CISSOID 近日发布了 CMT-PLA1BL12300MA，一款额定 1200 V、300 A 的半桥 IGBT 功率模块，面向需要在效率、可靠性与成本之间取得平衡的工业电力变换系统
相比传统分立式功率方案，IPM将功率器件与多种控制与保护功能高度集成，大幅降低系统设计难度和开发风险。
3至8千瓦的功率密度足以供应机架——即容纳服务器和路由器硬件的金属结构——机架功率密度很少超过每机架10-15千瓦。
电力电子行业目前正在经历一场从硅到氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体的大规模转变。
从制造角度看，向300毫米的转变将改变衬底供应和芯片制造的单位经济性。更大的晶圆在理论上每片晶圆可产生的芯片数量更多，并且在设备组合能够支持这一规格时，可以提高设备利用率。
而单片机(MCU)正是实现步进电机控制的核心控制单元。本文将从工作原理、控制方式以及实现步骤等方面，系统介绍单片机控制步进电机的方法。
随着电力电子技术的快速发展，IGBT 模块(Insulated Gate Bipolar Transistor)已成为中高功率变换领域的核心器件之一。凭借其兼具 MOSFET 易驱动性与双极型晶体管大...
在同等功率水平下(P=IV)，电压提升四倍，相应电流减少至四分之一——这使得I²R损耗大幅降低。更高电压还允许使用更细规格的电线，节省宝贵的重量和原材料。
近日，Vishay Intertechnology 宣布推出五款新的 1200 V 硅碳化物(SiC)MOSFET 功率模块，旨在提升中高频应用的电源效率。
在开关电源、工业控制、新能源汽车、充电桩、逆变器等应用中，功率 MOSFET 是最核心的功率器件之一。选型是否合理，直接影响系统的效率、可靠性以及成本。本文将围
本文将围绕常用 32 位单片机类型、技术特点、应用场景及选型要点进行系统介绍，并结合实际应用，介绍 ABOV(现代)32 位单片机解决方案。
随着新能源、电动汽车、工业电源及储能系统的快速发展，功率器件正面临着更高电压、更大功率、更高效率与更高可靠性的综合挑战。
官方数据揭示，2025年中国集成电路产量达到4843亿块，出口增长为17.4%。
电源模块在电子系统中提供最关键的功能之一，其行为直接影响系统在不同运行模式下的表现——包括上电、掉电、稳态运行以及故障发生时。
从铜线回路向以太网过程总线的转变，结合普遍部署的传感和边缘分析技术，使得保护和自动化方案能够在毫秒级内做出反应，同时持续评估设备健康状况和电能质量。
超级电容器是一种独特的无源器件，其众多性能指标介于电容器和电池之间。这些器件特性催生了许多新颖的电路设计，其应用领域从电源转换器、瞬态浪涌抑制器到热水器，不一而足
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