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高速、高压转换器常常面临可靠性问题。栅极驱动器不仅仅是一个控制接口;它也可能是一个主要的故障点。在半桥逆变器中，即使是一次小于100纳秒的短暂寄生导通
东芝电子欧洲公司扩展了其N沟道功率MOSFET产品组合，新增了九款专为工业设备内部电源线路设计的器件。该产品系列包括三款用于48V系统的100V元件和六款用于24V系统的60V元件
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是用于电动汽车(EV)以及风力涡轮机和光伏(PV)系统等可再生能源技术中的高功率半导体开关。
安森美(onsemi)已达成最终协议，将以全股票交易方式收购Synaptics Incorporated，交易估值约为70亿美元。
位于德国开姆尼茨的Saxogy Power Electronics公司，二十多年来一直致力于为电力电子应用领域开发安全测试台和电子系统的定制化解决方案。
近期，国内功率半导体领域迎来重要技术突破。芯联集成对外宣布，依托其自主研发的8英寸碳化硅工艺平台，公司正式推出3300V碳化硅MOSFET产品。
作为一种宽禁带半导体器件，碳化硅(SiC)凭借其卓越的物理特性，正在悄然改变电动汽车、光伏储能及工业电源的格局。
其中，方形封装肖特基二极管凭借优异的散热性能和较高的电流承载能力，正被越来越多的电源设计工程师所采用。那么，方形肖特基二极管究竟有什么作用
三电平飞跨电容无桥图腾柱PFC(3L-FC-BTP-PFC)正是满足这些要求的一种架构。本文将概述这种拓扑结构，重点关注基于宽禁带(WBG)半导体的实现方案。
本文讨论了一款基于碳化硅(SiC)MOSFET的500千瓦/升(kW/l)逆变器模块，该模块采用活性金属钎焊(AMB)芯片嵌入技术，并在功率密度、EMI和热性能方面进行了优化设计。
随着汽车行业向更高功率的电气架构演进，48V系统正逐渐成为传统12V网络的高效替代方案，尤其是在高端车型和电动化车辆中。
太空领域正在经历深刻变革，这一点从当前媒体对即将重磅IPO的热议中便可窥见一斑。
博世第三代SiC MOSFET凭借其先进的沟槽设计脱颖而出，显著优化了电动汽车动力总成的效率。
意法半导体(STMicroelectronics)推出了L6462A，一款过渡模式(TM)功率因数校正(PFC)控制器。该器件旨在降低物料清单(BOM)成本，同时提升额定功率最高达250W的电源的效率
本文探讨配电变压器的工作原理，以及对接地变压器的电压调节和系统性能影响最大的连接决策。
台湾半导体公司已推出TQM系列车规级N沟道功率MOSFET，额定电压为40V和60V，目标应用于汽车和工业环境中的高效电源转换和电机控制。
降压变换器究竟是如何工作的?它又有哪些优势和应用场景?本文将带您深入了解降压变换器的工作原理。
除了保护传统的交流配电系统外，直流架构也正在吸引快速动作的智能固态断路器，与传统机电设备相比，它们能防止设备损坏并提高整体系统可靠性。
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