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随着 SiC MOSFET 的使用，电力电子技术的极限正在显著改变。更高的结温、显著缩短的开关时间及相应的高 dv/dt 和 di/dt 值，以及在系统级以大幅提高的开关频率运行的能力
许多参赛团队重点采用了氮化镓功率半导体，因为它为实现更高的开关频率和更低的损耗提供了一条切实可行的路径。如今回过头看，这项挑战赛不仅奖励了精妙的系统设计
瑞萨电子株式会社发布了业界首款650V级双向氮化镓开关器件TP65B110HRU，该产品专为简化光伏微型逆变器、人工智能数据中心
小功率晶闸管模块是一类广泛应用于电力控制与调节领域的重要器件，尤其在中低功率场景中表现出稳定、高效和经济的优势。随着工业自动化和智能控制技术的发展，小功率晶闸管模块在家电控制、电机调速、照明调光以及电...
在开关电源、变频器、逆变焊机等高频电路中，快恢复二极管(FRD)扮演着至关重要的角色。选型不当不仅影响电路效率，更可能导致过热击穿。
近年来，数据中心的发展使得处理器所需的功率密度显著提升。AI加速器与高性能计算(HPC)设备运行时的电流极高，常常超过1000 A，而工作电压却已降至1 V以下。
该产品精准适配基于 GaN(氮化镓)和 SiC(碳化硅)等宽禁带技术的电力系统。随着宽禁带器件开关速度提升，快速开关边缘易引发显著电磁干扰
在电动汽车电机领域，有两个不可避免的迫切需求：宽禁带功率电子器件的集成，以及对高精度电机控制技术的需求。一方面，随着200mm碳化硅晶圆生产的成熟以及与硅成本差距的缩小
电力电子学中最古老的挑战之一，便是将多个晶体管并联以获得更高电流的开关。这项任务鲜少能直接达成，因为两个或多个晶体管的电气参数永远不会完全一致
通常情况下，功率应用需要器件能够处理更高的电流，同时将能量损失降至最低，以提高整体系统效率并减少冷却需求。在硬开关导通中，由体二极管的反向恢复电荷引起的功率损耗在工作温度下(在许多情况下远高于100C...
德州仪器(TI)发布了两款隔离式电源模块，旨在提升电动汽车、数据中心及其他高要求应用场景中的功率密度、效率和安全性。
肖特基二极管和普通二极管(通常指PN结二极管)在结构、工作原理和性能上都有明显区别，具体可以从以下几个方面理解：一、结构与工作原理1. 肖特基二极管(Schot
垂直场效应晶体管结构是更高电压和更高功率应用的首选。虽然横向氮化镓晶体管在650 V及以下电压等级的市场需求强劲，但碳化硅MOSFET和硅IGBT在更高电压领域占据主导地位。
过去几年，功率半导体的创新显著加速了电动汽车的全球部署。碳化硅 MOSFET 等宽禁带器件的改进型，为电动动力系统中更高效率的牵引逆变器铺平了道路。
这些器件集成了光耦仿真器输入，并与现有的光耦仿真器和光耦合器引脚兼容。通过此次发布，英飞凌旨在把握不断增长的 SiC 市场以及太阳能
从消费电子到工业控制，再到汽车电子，电源芯片的性能直接影响系统的稳定性与效率。那么，在实际选型过程中，集成电源芯片的关键指标有哪些?
无论是电源管理、电机控制，还是消费电子与工业控制领域，MOSFET都扮演着关键角色。
8位单片机有哪些系列?不同品牌之间又有哪些差异?本文将为您系统梳理主流8位MCU系列，并结合实际应用给出选型建议。
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