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在电力电子领域，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是最核心的开关器件之一。传统硅基Si MOSFET已应用数十年，而碳化硅SiC MOSFET作为第三
电力系统(EPS)是任何航天器中最关键的分系统之一。对于 CubeSat 和小卫星而言，它通常也是约束最多的分系统。产生多少能量、如何存储、以及如何调节和分配
激光雷达是一种基于光波长的遥感技术。其基本原理是驱动激光发射器，使输出光束进入可操控的光学系统，该系统发射并随后接收反射光。反射光被送入光电接收器，通过信号处理生成反射激光物体的三维地图。
新款芯片是已广泛应用的L9963E电池管理芯片的完全兼容替代品，旨在让L9963系列现有用户无需修改硬件或软件即可升级。
电容升压变换器是一种利用开关电容网络将较低输入电压转换为较高输出电压的DC-DC转换器。与传统的Boost升压电路不同，它无需电感元件，因此具有体积小、电磁干扰低、易于集成等突出特点
第三代碳化硅MOSFET通过一系列改进，提升了功率密度和成本效益。博世公布的关键性能指标包括：牵引逆变器运行中的比导通电阻降低20%，开关损耗降低10%。
其中一个例子便是20世纪90年代初的LEM NORMA D 6000型功率分析仪。当时，电流测量采用超宽带同轴分流器以及所谓的“GUARD”技术，该技术能够最大程度地抑制共模干扰。在高电位下测量非常陡...
Diodes 公司宣布推出 AH3711Q，进一步扩展其符合汽车标准的 AH371xQ 系列霍尔效应锁存器。该器件具有高灵敏度，专为电机控制和位置检测应用而设计
快速充电已成为消费者的基本期望，但在日益碎片化的有线(例如USB Power Delivery [PD]和可编程电源[PPS])和无线(Qi)适配器生态系统中高
对于很多工程师和采购人员来说，NMB风扇型号上的一串数字和字母往往较难理解。实际上，这些型号中包含了风扇尺寸、电压、轴承结构、转速等级等关键信息。
万国半导体(AOS)宣布推出全新系列数字多相控制器，专为下一代移动计算平台中英特尔 IMVP9.3 Vcore 电源传输设计。新型 AOZ71049QI、AOZ
并借鉴其 20 年来出货近 9000 万台微型逆变器的经验来证明其方案的可行性。全面系统演示的目标时间是 2026 年底，计划于 2027 年进行客户试点，预计 2028 年实现批量出货。
在本文中，我们将对BJT电路进行一些测试和仿真，以调节输出电压。这些方法现在已经不再使用，因为晶体管工作在线性模式会导致效率低下。不过，它们的实现相当简单，可以让我们快速搭建出可调电源
未来几个月内，首批采用High-NA(高数值孔径)EUV光刻机生产的芯片产品将正式问世，涵盖逻辑芯片和存储芯片两大领域。
那么，什么是开口式霍尔电流传感器?它的工作原理和特点有哪些?本文将进行详细介绍。
随着高频加热技术的发展，IGBT已经成为电磁炉电源驱动系统中的核心部件。对于家电厂商而言，选择性能稳定、损耗低、可靠性高的IGBT产品，也成为提升产品竞争力的重要方向。
今天再次与纳微半导体技术营销和SiC技术高级经理Arash Salemi博士进行了深入交流，聚焦于其沟槽辅助平面型(TAP)架构的栅氧化层可靠性
受存储器价格上涨影响，日本商用个人电脑的租赁费用正持续攀升。据日经新闻报道，商用PC的租赁费用已创下5年10个月以来的新高。
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