深圳市浮思特科技有限公司
新闻资讯
NoMIS Power 公司发布了两款中压碳化硅(SiC)MOSFET：型号为 N3PT035MP330K 的器件，额定电压为 3.3 kV，具有 35 mΩ 导通电阻和 88 A 电流能力
以碳化硅(SiC)为核心的功率器件逐渐成为行业关注的重点。相比传统硅基功率器件，碳化硅模块具有更高的耐压能力、更低的开关损耗以及更好的热性能。那么，碳化硅模块内部结构是如何构成的
全球电容触控芯片市场已经形成了由多家上市公司主导的竞争格局，其中既包括中国大陆厂商，也包括中国台湾及国际厂商。
短路(SC)耐受能力是电机驱动等许多功率应用中的重要指标。提升碳化硅MOSFET或氮化镓HEMT等宽禁带器件的这一参数，通常需要在器件性能上做出权衡，和/或采用更快的短路检测技术。
这一协议的达成，标志着罗姆在GaN功率元件生产领域迈出了关键一步，计划在其集团内部建立完整的GaN功率元件生产体系，以应对市场日益增长的需求。
在这一体系中，MCU(Microcontroller Unit，微控制器)作为嵌入式系统的“大脑”，承担着核心控制与协调任务。
这一挑战促使业界采用800 VDC配电架构，该架构可降低损耗，支持更高的功率水平，并允许将体积庞大的电源组件从IT机柜中移出，放入单独的电源机柜中
SiC 器件具备高频开关能力和更优的热性能，使得无源器件体积和散热需求得以缩减，从而实现更加紧凑的驱动系统。然而，SiC 的高速开关特性也可能带来由过电压和快速上升沿引起的可靠性问题。
该 SmartMCD 器件集成了嵌入式 MCU、低边和高边驱动输出以及继电器控制功能。通过在单一器件中整合控制逻辑与功率级，该 IC 可直接驱动汽车车身电子系统中常见的电机、继电器及其他功率负载
红外热成像仪凭借“非接触、实时、可视化”的优势，正在成为工业现场不可或缺的检测工具。本文将结合典型应用场景，系统分析红外热成像仪在工业领域的应用价值
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)作为成熟且高可靠性的功率器件，在新能源汽车电驱系统中发挥着至关重要的作用
例如，一个输出为 5V 的微控制器需要连接到一个输入为 3.3V 的可编程单元或控制器。这种逻辑电平不兼容的情况十分常见，如图1所示。
这一协议的达成，标志着罗姆在GaN功率元件生产领域迈出了关键一步，计划在其集团内部建立完整的GaN功率元件生产体系，以应对市场日益增长的需求。
从传统的工业与安防领域，逐步延伸到能源、医疗、消费电子等多个方向，成为感知技术体系中的重要组成部分。
LEM 莱姆电流传感器作为全球知名品牌，长期被工程师和系统厂商广泛采用。那么——LEM 莱姆电流传感器到底怎么样?有哪些优势?适合哪些应用?
这种变化在司机驾驶室中尤为明显：显示器取代了传统的模拟仪表和指示灯，使用的开关和操纵杆数量也大幅减少。
进入2025年以来，DRAM(动态随机存取存储器)与NAND闪存的价格呈现出强劲的同步上涨态势，其中DRAM价格更是再次刷新了历史最高纪录。
在电力电子、工业自动化、新能源等领域，电流的精确测量与安全监控是保障设备稳定运行的关键，磁补偿式霍尔电流传感器作为一种高精度、高可靠性的检测器件
新闻资讯