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这种传感器小到可以安装在皮下注射针头的尖端,或者安装在刀锋上,用于制作力敏感的手术刀片
近日,威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布推出一款车规级光伏MOSFET驱动器——VODA1275。该产品由威世半导体部门开发,专为高压应用场景设计,旨在提升系统可...
近年来,“快恢复二极管是否可以替换肖特基二极管”成为工程师频繁讨论的话题。本文将从性能差异、应用场景及替换可行性等方面进行深入分析,帮助读者更好地理解两者的选择逻辑。
通过减少 MMC(模块化多电平换流器)拓扑结构中串联子模块的数量。新平台采用了最新技术,在高达 8.5 kV 的耐压等级下实现了前所未有的关断能力。
本文探讨了一种新颖的实现方式,即在多电平飞电容式降压-升压变换器中采用基于氮化镓(GaN)的单片双向开关。
英飞凌科技股份公司近日推出了一款基于TLVR(跨电感稳压器)技术的四相电源模块,旨在满足下一代人工智能数据中心日益增长的电力需求。
高压系统的测量与低压或数字信号测试截然不同。当工作在 1 kV 以上电压,尤其是在快速开关的电力系统中时,测量过程本身就会影响电路
碳化硅已成功瞄准电动汽车和充电基础设施,而氮化镓高电子迁移率晶体管最初则在消费类应用(主要是充电器和适配器)中取得了进展。
硅(Si)在电子学领域的主导地位,很大程度上归功于其近乎完美的"原生氧化物"(SiO₂)。当硅在氧气环境中加热时,会形成一层二氧化硅——一种高质量的玻璃
近日,三菱电机株式会社宣布,已就参与罗姆株式会社与东芝电子元件与存储株式会社的半导体业务整合事宜,签署了一份谅解备忘录。
随着新能源汽车、光伏逆变器和工业电源的快速发展,高效节能的功率器件成为行业关注的焦点。作为新一代半导体材料,碳化硅(SiC)功率模块以其卓越的电性能和可靠性
在现代电子产品开发中,单片机(MCU)是实现智能控制和数据处理的核心器件。随着物联网、智能家居、工业控制以及新能源汽车等领域的快速发展,对单片机的性能、稳定性和可靠性提出了更高要求。
本文介绍了一种最终采用氮化镓(GaN)设计的无散热片同步CCM-PFC(连续导通模式功率因数校正器)。通过使用GaN系统级封装和专用控制器,实现并优化了一款实际
Diodes Incorporated 推出了一系列符合汽车标准的N沟道MOSFET产品,采用PowerDI8080-5封装,其中包括一款专为高效率48V系统设计的100V器件
因此,“电容式触摸芯片厂家排名榜”也成为众多工程师和采购人员关注的热点。本文将从技术实力、市场应用及产品稳定性等角度,对主流厂家进行梳理
在现代照明与显示技术快速发展的背景下,LED已经成为主流光源。而在整个LED系统中,LED驱动芯片扮演着至关重要的角色。很多用户在选型或设计时,往往更关注LED本身
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体通过实现更高的开关频率,改变了车载充电器(OBC)的设计。宽禁带器件可在数百千赫兹甚至兆赫兹频率下工作
台积电CEO魏哲家在今年2月与日本首相会面时透露,该厂将采用3nm制程并进入量产。此说法随后在修订后的计划中得到进一步明确