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通常情况下,功率应用需要器件能够处理更高的电流,同时将能量损失降至最低,以提高整体系统效率并减少冷却需求。在硬开关导通中,由体二极管的反向恢复电荷引起的功率损耗在工作温度下(在许多情况下远高于100C...
德州仪器(TI)发布了两款隔离式电源模块,旨在提升电动汽车、数据中心及其他高要求应用场景中的功率密度、效率和安全性。
肖特基二极管和普通二极管(通常指PN结二极管)在结构、工作原理和性能上都有明显区别,具体可以从以下几个方面理解:一、结构与工作原理1. 肖特基二极管(Schot
垂直场效应晶体管结构是更高电压和更高功率应用的首选。虽然横向氮化镓晶体管在650 V及以下电压等级的市场需求强劲,但碳化硅MOSFET和硅IGBT在更高电压领域占据主导地位。
过去几年,功率半导体的创新显著加速了电动汽车的全球部署。碳化硅 MOSFET 等宽禁带器件的改进型,为电动动力系统中更高效率的牵引逆变器铺平了道路。
这些器件集成了光耦仿真器输入,并与现有的光耦仿真器和光耦合器引脚兼容。通过此次发布,英飞凌旨在把握不断增长的 SiC 市场以及太阳能
从消费电子到工业控制,再到汽车电子,电源芯片的性能直接影响系统的稳定性与效率。那么,在实际选型过程中,集成电源芯片的关键指标有哪些?
无论是电源管理、电机控制,还是消费电子与工业控制领域,MOSFET都扮演着关键角色。
8位单片机有哪些系列?不同品牌之间又有哪些差异?本文将为您系统梳理主流8位MCU系列,并结合实际应用给出选型建议。
英飞凌科技股份有限公司近日发布了两款基于其CoolGaN™技术的高压中间总线转换器(HV IBC)参考设计,专为AI数据中心新兴的800 VDC与400 VDC电源架构打造
增加的元件和栅极驱动器增大了系统的占板面积。随着行业对更高功率密度和先进转换拓扑结构的需求日益增长,这些缺点变得更加突出
与硅(Si)器件相比,宽禁带(WBG)功率器件,例如碳化硅(SiC)器件,在理解可靠性失效模式、加速因子、认证标准和建模方面仍处于学习阶段。最近,在将器件或模块
在当今的电子领域,高性能模块和结构件至关重要。电子学及电力电子领域功率密度的持续攀升,使得实施高效冷却方法成为绝对必要。
博恩斯公司近日为其SRN3010BTA半屏蔽功率电感器系列新增SRN3010BTA-330M型号,进一步扩充该产品线。这款新型电感器提供33 µH电感值
那么,MCU开发主要做什么?其核心工作内容有哪些?本文将从技术角度进行系统介绍
那么,LED专用驱动芯片有哪些?不同类型的驱动芯片又适用于哪些应用场景?下面就为大家做一个系统介绍。
电源设计并非沿着传统的、将很大程度上相互孤立的模拟设计和软件开发团队分开的道路,其独特之处在于需要硬件和软件知识之间更紧密的耦合。
据多方报道,两家公司正计划通过共同出资成立一家新公司,将各自的功率半导体相关业务转移至此新公司,以实现资源整合和技术协同。