浮思特科技
新闻资讯
其薄膜形态更是凭借惊人的耐高温、高导热、高击穿场强及抗辐射能力，成为突破下一代功率电子、射频器件和极端环境传感器性能瓶颈的关键钥匙。
据报道，东京大学的研究团队近日成功开发出一种基于掺镓氧化铟(InGaOx)晶体材料的新型晶体管。这一创新在微电子技术领域引起了广泛关注，标志着微电子器件性能提升的重要突破。
在现代电子设备中，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优异的开关特性和低功耗优势，被广泛应用于电源管理、电机驱动和信号放大等领域。
在现代工业自动化和智能制造的浪潮中，IPM(集成保护模块)作为一种重要的电力电子器件，已经得到了广泛应用。无论是在电动机驱动、可再生能源还是电力转换领域，IPM模块都扮演着至关重要的角色。
随着现代电力电子技术的快速发展，绝缘栅双极晶体管(IGBT)在电力转换领域的应用越来越广泛。特别是单管IGBT的驱动技术，因其高效、可靠的特性，逐渐成为各类电力电子设备的核心组成部分。
近日，彭博社报道，国家集成电路产业投资基金三期(以下简称“大基金三期”)正计划将投资重点放在微影技术、芯片设计工具等关键领域。
触摸芯片作为现代电子设备中人机交互的核心组件，其程序调用方式直接关系到用户体验。触摸芯片程序调用本质上是通过软件指令与硬件交互，实现对触摸信号的采集、处理和响应
碳化硅(SiC)作为一种重要的宽禁带半导体材料，近年来在电子器件和功率器件中得到了广泛应用。其优异的电学和热学性能使其在高温、高功率和高频应用中具有不可替代的优势。
在现代电力电子技术快速发展的背景下，闭环型霍尔电流传感器作为一种核心电流测量工具，越来越受到行业的重视。它利用霍尔效应原理，实现对电流的高精度测量，广泛应用于电动机驱动、逆变器、能源管理等多个领域。
瑞萨电子(Renesas Electronics)近期在一场媒体发布会上宣布，将其原定于2030年实现的营收目标推迟至2035年。这一决定反映了嵌入式半导体行业的剧烈变化
在现代电子技术中，集成MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为一种重要的半导体器件，已经成为电路设计中的关键组成部分。它以其出色的性能和广泛的应用领域，引起了电子工程师和相关行业的广泛关注。
随着现代科技的飞速发展，电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。尤其在新能源、智能电网、工业自动化等领域，功率器件的性能直接影响到整个系统的效率和可靠性。
还在为单片机程序突然“罢工”、外设不响应、或是程序“跑飞”而熬夜奋战吗?调试是单片机开发的必经之路，也是最能体现工程师功力的环节。
ROHM半导体公司最近推出了一款专为高压氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)设计的隔离栅驱动集成电路(IC)——BM6GD11BFJ-LB。
根据统计数据，深圳市目前拥有集成电路企业727家，与去年相比增长了11.2%。在这些企业中，设计企业占据了绝对的主体地位，数量高达456家，占总数的62.8%。
MOSFET半桥电路通常由两个MOSFET(一个N通道和一个P通道)组成，其工作原理是通过交替导通和关断这两个开关来实现电压的调节和控制。
Wolfspeed, Inc.近日宣布，公司已与主要贷款方达成了一项重组支持协议(RSA)，这一举措旨在加强其资本结构，为未来的增长奠定基础。
在现代电子设备中，功率器件扮演着至关重要的角色。它们用于控制和转换电能，广泛应用于电源转换、马达驱动和电动汽车等领域。
新闻资讯