浮思特科技
新闻资讯
在宽禁带半导体器件领域，SiC MOSFET以其高击穿场强、高开关频率、低导通损耗等优势，成为新能源汽车、轨道交通、储能系统等高端电力电子装备的核心器件。
你是否想过，当你用手机快充时，为什么充电头不再烫得吓人?当你用笔记本电脑时，它的续航为何能更持久?这背后，常有一个低调的“效率守护者”在默默工作——它就是肖特基二极管
这款新器件在电气性能和热管理方面都展现出色，适用于多种需求苛刻的应用场景，如电池储能、工业控制及航空航天技术等。
不当的传感器选型可能导致测量误差、系统失效甚至安全隐患。本文将从工程师的实用视角，系统解析传感器选型必须考虑的关键参数，并提供一套可操作的选型决策框架。
Navitas近期宣布推出其全新的3300V和2300V超高压(UHV)硅碳化物(SiC)产品，这些产品涵盖了功率模块、分立器件和已知良品(KGD)格式。新推出的分立SiC MOSFET可在TO-24...
在设计 DC-DC 转换器时，源阻抗对系统稳定性和性能起着决定性作用。由输入滤波器、线缆或配电网络引发的源阻抗变化，可能会与转换器的输入动态特性相互作用，进而导致系统失稳、产生振荡或瞬态响应劣化。
电流传感器作为电力电子、工业控制、新能源汽车、光伏储能等领域的“关键基础器件”，承担着电流采集、保护控制、系统反馈等重要作用。
随着智能设备的不断发展，触控技术逐渐渗透到各行各业，成为用户交互的重要方式。触摸芯片作为实现触摸功能的核心组件，正变得越来越重要。
PMIC的应用范围相当广泛，涵盖了电源转换(包括直流-直流DC-DC、交流-直流AC-DC及直流-交流DC-AC)、电池保护与充电、LED控制等多个领域。
LED显示技术的广泛应用离不开一个关键的组件——LED显示屏驱动IC。它不仅决定了显示效果的质量，还直接影响到屏幕的稳定性、色彩表现和寿命。
碳化硅功率模块(SiC Power Module)是一种基于碳化硅(SiC)半导体材料的高效能电力电子模块。与传统的硅(Si)功率模块相比，碳化硅功率模块具有更高的工作效率
焊接仍是芯片贴装、芯片顶面连接以及基板与底板等大面积连接中应用最广泛的互连方式。多样化的合金类型与结构设计赋予了焊接工艺极强的通用性
近日，三安光电旗下的湖南三安半导体在长沙举行了一场碳化硅芯片上车仪式，标志着该公司与理想汽车的合作迈出了重要的一步。
为了实现更复杂的功能，单片机通常需要与外围电路配合使用。下面我们详细解析一些常见的单片机外围电路。
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是两款至关重要的功率半导体器件，广泛应用于新能源、工业控制、汽车电子等核心领域。
在CPU、GPU等核心芯片朝着高主频、大算力方向快速演进的今天，供电系统的性能直接决定了终端设备的运行稳定性与能效表现。
华为近期发布的一系列专利，展示了SiC在热管理和电磁管理方面的新应用。与传统上将SiC用作功率晶体管不同，华为将其作为热和电磁管理材料，深入到人工智能(AI)和计算硬件的物理架构中
单管IGBT是一种单独的IGBT晶体管，它集成了MOSFET和双极型晶体管的特性。单管IGBT的主要功能是控制高电流流动，它具有低开关损耗
新闻资讯