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碳化硅半导体在提高电动汽车效率和续航里程方面发挥着关键作用。与传统硅基芯片相比，它们具有更快的开关速度、更低的能量损耗和更高的功率密度。

IPM模块“大带小”可以吗?一文讲清驱动匹配与选型关键点

在电机驱动、电源变换等应用中，IPM(智能功率模块)因其高度集成、可靠性强而被广泛使用。

逆变器核心器件解析：IGBT工作原理与作用全解(附应用场景)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种结合了MOSFET和BJT优点的功率半导体器件，既具备MOS管的高输入阻抗、驱动简单的特点，又拥有双极型晶体管低导通...

从半导体到金属接触：MEMS技术如何填补电源保护的性能空白

电源开关和保护器件的设计，一直在机电继电器(EMR)和固态半导体开关(如 SiC MOSFET 和 SiC JFET)之间进行权衡。

Enphase 启动其首款氮化镓功率微型逆变器的部署

此次扩产正值商用太阳能安装商对分布式电源架构需求日益增长之际，这种架构提供了比传统集中式或组串式逆变器更可靠的选择

升压型直流电源变换器芯片详解：原理、应用与选型指南

升压型直流电源变换器芯片是一种DC-DC电源管理芯片，主要功能是将输入的低电压转换为更高的稳定输出电压。例如，将3.7V锂电池电压升压至5V或12V

AI数据中心供电变革：基于5LANPC拓扑的高效高密三相整流器设计

人工智能的崛起导致数据中心的电力需求大幅增长，预计 AI 服务器机架的功率水平将达到兆瓦级。相应地，服务器机架架构将演变为分离的 IT 机架和侧挂式电源机架，如下图 1 所示。

高性能GaN沟槽肖特基势垒二极管的设计与挑战

超宽禁带(UWBG)材料，例如氧化镓(Ga₂O₃)，有望提升未来高压功率转换应用的效率。然而，要将其理论优势转化为实用的功率器件，需要克服从衬底生长、掺杂到器件设计和封装的诸多障碍。

罗姆推出低导通电阻第五代SiC MOSFET，强化EcoSiC产品组合

新器件专为满足电动汽车牵引逆变器、AI服务器电源以及大功率工业设备等系统日益提升的性能需求而设计。

莱姆磁通门电流传感器：高精度电流检测方案与应用解析

在工业自动化、新能源、电力电子等领域中，电流检测的精度与稳定性直接关系到系统性能与安全性。而在众多电流检测技术中，磁通门电流传感器凭借其高精度、低漂移等优势，正

D 模式 GaN 双向开关重塑电源转换拓扑结构

所有这些都与双向功率流密不可分。以车辆到家庭(V2H)应用中的电动汽车(EV)车载充电器(OBC)为例。

采用基于氮化镓的飞电容变换器的混合动力eVTOL飞行器电力驱动系统

基于混合电池和燃料电池的电动垂直起降飞行器(eVTOL)被视为近期未来可持续的城市交通方式。其电力驱动系统的一个关键要求是需要一种轻量化、宽电压范围且高效的双向升降压DC-DC变换器。

TDK推出耐压1250 V DC的扼流圈，扩展EMI滤波产品线

该系列产品专为下一代功率转换系统设计，其电流补偿型环形磁芯双扼流圈的直流链路电压最高可达1250 V(或交流630 V)，满足了现代高压架构在电磁干扰(EMI)抑制

氮化镓助力反激式电源突破 250 瓦壁垒

单端反激式转换器因其架构简单、元件数量少而被广泛使用。然而，其采用硅(Si)MOSFET 的传统设计存在 200-250 瓦的实际功率上限。

机架密度上升对电源连接器意味着什么

数据中心仅用于承载企业网络应用、存储和云服务的时代已经过去了。过去，3到8千瓦的功率密度就足以满足机架供电需求，每个机架的功率很少超过10到15千瓦。

设计更稳健的电池供电电机驱动器：MOSFET 的关键作用