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许多工程师和电子爱好者在组装或维修此类设备时，常会困惑：这两个关键模块究竟该如何正确连接?
在智能设备日益普及的今天，触控技术已经成为人们生活中不可或缺的一部分。尤其是电容触控芯片，它们以其高灵敏度、耐用性和易操作性，广泛应用于各种智能设备中。
埃尔朗根 - 纽伦堡大学(FAU)的研究人员与三安光电合作，开发出一款效率超过 99.6% 的软开关逆变器。这一技术突破能帮助电动汽车制造商提升续航里程，并充分发挥宽禁带半导体的性能优势。
近日，日本知名半导体制造商罗姆半导体(Rohm)公布了其2026至2028年度的中期经营计划，宣布将大幅缩减设备投资规模。
在选择二极管时，你可能经常听到“肖特基二极管”这个大名，它常常被贴上“高效”、“高速”、“低压降”的闪亮标签。但当你准备采购时，却发现它好像不止一种，让人眼花缭乱。
电源管理芯片，作为现代电子设备中不可或缺的组成部分，几乎出现在我们日常使用的所有电子产品中。
超宽带隙半导体被视为电力电子领域的下一个前沿方向。这类材料包括氧化镓、氮化铝和金刚石，相比碳化硅或氮化镓制成的宽带隙器件，它们具有显著的理论优势
面对市场上琳琅满目的芯片，8位单片机和32位单片机的抉择常常让工程师，尤其是初学者感到困惑。它们之间究竟有何本质区别?又该如何根据项目需求做出最佳选择?
碳化硅(SiC)已成为电力电子领域最具变革性的宽带隙(WBG)半导体技术之一。碳化硅 MOSFET 和碳化硅二极管的性能显著优于传统硅基器件，具备更高的击穿电压、更快的开关速度以及实际工作条件下的超高...
该公司计划在2025年底之前推出1200V SiC MOSFET制程技术，并在2026年上半年开始提供SiC功率半导体代工服务。这一举措不仅标志着SK Key Foundry在半导体市场的再一次布局
作为第三代半导体的核心器件，它用碳化硅(SiC)材料替代传统硅基，在性能上实现了质的飞跃，成为电力电子领域的 “香饽饽”。
无掩模光刻技术的优势在于无需制作光掩模，即可在表面(无论是印刷电路板还是先进封装基板)上形成图形。
氮化镓(GaN)晶体管在现代高频和高功率电子设备中迅速崛起，应用范围从5G基站到消费设备的紧凑型电源适配器。其独特的材料特性，如宽禁带、高电子迁移率和优良的热导率
GF公司近日宣布，与全球领先的半导体制造商台积电(TSMC)达成了一项重要的技术许可协议，涵盖650V和80V的氮化镓(GaN)工艺技术。
在智能化席卷各行各业的今天，我们早已习惯了智能手机、平板电脑上流畅的触控体验。然而，当触控技术从舒适的办公室和家庭环境，走向嘈杂、多尘、油污甚至极端温度的工业车
当我们谈论电动汽车的动力、续航与能效时，有一个核心部件虽不显眼，却至关重要——它就是IGBT模块。这个看似陌生的名词，实则是决定电动汽车性能高低的关键所在。
在32位ARM内核和RISC-V大行其道的今天，8位单片机是否已经过时?答案是否定的。凭借其极高的性价比、优异的功耗控制和成熟的生态，8位单片机依然是无数嵌入式项目的“心脏”
当我们惊叹于城市夜空下LED大屏的绚烂画面时，可曾想过，是谁在背后精准指挥着数以百万计的LED灯珠，让它们协同演绎出如此生动的视觉盛宴?
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