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近日，威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布推出一款车规级光伏MOSFET驱动器——VODA1275。该产品由威世半导体部门开发，专为高压应用场景设计，旨在提升系统可...
英飞凌科技股份公司近日推出了一款基于TLVR(跨电感稳压器)技术的四相电源模块，旨在满足下一代人工智能数据中心日益增长的电力需求。
近日，三菱电机株式会社宣布，已就参与罗姆株式会社与东芝电子元件与存储株式会社的半导体业务整合事宜，签署了一份谅解备忘录。
Diodes Incorporated 推出了一系列符合汽车标准的N沟道MOSFET产品，采用PowerDI8080-5封装，其中包括一款专为高效率48V系统设计的100V器件
台积电CEO魏哲家在今年2月与日本首相会面时透露，该厂将采用3nm制程并进入量产。此说法随后在修订后的计划中得到进一步明确
将反激式变换器的功率能力提升至 440W，为传统的谐振和 LLC 拓扑结构提供了一种更简洁的替代方案。
在2026年亚太电力电子会议(APEC)上，EPC宣布发布其第18版GaN可靠性报告(RR)，同时推出了全新的EPC91121三相无刷直流(BLDC)电机驱动评估板
瑞萨电子株式会社发布了业界首款650V级双向氮化镓开关器件TP65B110HRU，该产品专为简化光伏微型逆变器、人工智能数据中心
该产品精准适配基于 GaN(氮化镓)和 SiC(碳化硅)等宽禁带技术的电力系统。随着宽禁带器件开关速度提升，快速开关边缘易引发显著电磁干扰
德州仪器(TI)发布了两款隔离式电源模块，旨在提升电动汽车、数据中心及其他高要求应用场景中的功率密度、效率和安全性。
这些器件集成了光耦仿真器输入，并与现有的光耦仿真器和光耦合器引脚兼容。通过此次发布，英飞凌旨在把握不断增长的 SiC 市场以及太阳能
英飞凌科技股份有限公司近日发布了两款基于其CoolGaN™技术的高压中间总线转换器(HV IBC)参考设计，专为AI数据中心新兴的800 VDC与400 VDC电源架构打造
博恩斯公司近日为其SRN3010BTA半屏蔽功率电感器系列新增SRN3010BTA-330M型号，进一步扩充该产品线。这款新型电感器提供33 µH电感值
据多方报道，两家公司正计划通过共同出资成立一家新公司，将各自的功率半导体相关业务转移至此新公司，以实现资源整合和技术协同。
一种是自上而下冷却的QDPAK封装，另一种是低高度的TO-247-4L插孔变体。两种封装均基于公司第五代槽沟助力平面SiC MOSFET技术，旨在满足高功率应用需求
Wolfspeed公司近期宣布将其300毫米碳化硅(SiC)技术平台作为下一代人工智能(AI)和高性能计算(HPC)系统中先进封装的材料基础。
意法半导体(STMicroelectronics)推出一款支持机器学习算法的软件包，旨在简化将人工智能(AI)功能集成至电机控制系统中的流程。这款全新的FP-IND-MCAI1功能包提供了一个可直接使...
纳微半导体宣布推出其第五代GeneSiC沟槽辅助平面型碳化硅MOSFET技术平台，首推产品为1200 V系列。这些新型MOSFET专为AI数据中心、电网与能源基础设施以及工业电气化领域的高压电源转换应...
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