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这些器件集成了光耦仿真器输入，并与现有的光耦仿真器和光耦合器引脚兼容。通过此次发布，英飞凌旨在把握不断增长的 SiC 市场以及太阳能
英飞凌科技股份有限公司近日发布了两款基于其CoolGaN™技术的高压中间总线转换器(HV IBC)参考设计，专为AI数据中心新兴的800 VDC与400 VDC电源架构打造
博恩斯公司近日为其SRN3010BTA半屏蔽功率电感器系列新增SRN3010BTA-330M型号，进一步扩充该产品线。这款新型电感器提供33 µH电感值
据多方报道，两家公司正计划通过共同出资成立一家新公司，将各自的功率半导体相关业务转移至此新公司，以实现资源整合和技术协同。
一种是自上而下冷却的QDPAK封装，另一种是低高度的TO-247-4L插孔变体。两种封装均基于公司第五代槽沟助力平面SiC MOSFET技术，旨在满足高功率应用需求
Wolfspeed公司近期宣布将其300毫米碳化硅(SiC)技术平台作为下一代人工智能(AI)和高性能计算(HPC)系统中先进封装的材料基础。
意法半导体(STMicroelectronics)推出一款支持机器学习算法的软件包，旨在简化将人工智能(AI)功能集成至电机控制系统中的流程。这款全新的FP-IND-MCAI1功能包提供了一个可直接使...
纳微半导体宣布推出其第五代GeneSiC沟槽辅助平面型碳化硅MOSFET技术平台，首推产品为1200 V系列。这些新型MOSFET专为AI数据中心、电网与能源基础设施以及工业电气化领域的高压电源转换应...
根据美国半导体行业协会(SIA)在3月6日发布的数据，2026年1月全球半导体销售额达到了825亿美元，较2025年12月的796亿美元增长了3.7%。
Wolfspeed公司宣布推出一款10 kV碳化硅功率MOSFET，据称这是该电压等级中首款商用器件。
NoMIS Power 公司发布了两款中压碳化硅(SiC)MOSFET：型号为 N3PT035MP330K 的器件，额定电压为 3.3 kV，具有 35 mΩ 导通电阻和 88 A 电流能力
这一协议的达成，标志着罗姆在GaN功率元件生产领域迈出了关键一步，计划在其集团内部建立完整的GaN功率元件生产体系，以应对市场日益增长的需求。
该 SmartMCD 器件集成了嵌入式 MCU、低边和高边驱动输出以及继电器控制功能。通过在单一器件中整合控制逻辑与功率级，该 IC 可直接驱动汽车车身电子系统中常见的电机、继电器及其他功率负载
这一协议的达成，标志着罗姆在GaN功率元件生产领域迈出了关键一步，计划在其集团内部建立完整的GaN功率元件生产体系，以应对市场日益增长的需求。
进入2025年以来，DRAM(动态随机存取存储器)与NAND闪存的价格呈现出强劲的同步上涨态势，其中DRAM价格更是再次刷新了历史最高纪录。
TDK 公司正式发布 B43655 与 B43656 系列铝电解电容器，该系列产品专为电动汽车车载充电机(OBC)直流链路应用量身打造。
该系列产品以更高的集成度、更快的开关性能以及更完善的系统级功能，面向消费电子和工业电源市场，进一步拓展了 GaN 技术在实际应用中的落地空间。
近日，全球领先的电源半导体公司Navitas Semiconductor正式发布了其最新研发的10 kW DC-DC电源转换平台。
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