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继扬杰科技年内第二次上调产品价格后，国内功率半导体行业再迎涨价信号。杭州士兰微电子股份有限公司(简称“士兰微”)日前正式宣布，自2026年7月1日起，对旗下各产品线价格进行全面调整，涨幅不低于15%
东芝电子欧洲公司扩展了其N沟道功率MOSFET产品组合，新增了九款专为工业设备内部电源线路设计的器件。该产品系列包括三款用于48V系统的100V元件和六款用于24V系统的60V元件
安森美(onsemi)已达成最终协议，将以全股票交易方式收购Synaptics Incorporated，交易估值约为70亿美元。
近期，国内功率半导体领域迎来重要技术突破。芯联集成对外宣布，依托其自主研发的8英寸碳化硅工艺平台，公司正式推出3300V碳化硅MOSFET产品。
本文讨论了一款基于碳化硅(SiC)MOSFET的500千瓦/升(kW/l)逆变器模块，该模块采用活性金属钎焊(AMB)芯片嵌入技术，并在功率密度、EMI和热性能方面进行了优化设计。
随着汽车行业向更高功率的电气架构演进，48V系统正逐渐成为传统12V网络的高效替代方案，尤其是在高端车型和电动化车辆中。
意法半导体(STMicroelectronics)推出了L6462A，一款过渡模式(TM)功率因数校正(PFC)控制器。该器件旨在降低物料清单(BOM)成本，同时提升额定功率最高达250W的电源的效率
台湾半导体公司已推出TQM系列车规级N沟道功率MOSFET，额定电压为40V和60V，目标应用于汽车和工业环境中的高效电源转换和电机控制。
Nexperia扩展了其工业级650V氮化镓(GaN)功率晶体管产品组合，新增了不同RDS(on)阻值版本和封装选项，以满足现代功率转换系统日益增长的性能要求。
今年6月1日至10日期间，韩国出口总额高达286亿美元(约合人民币1939.56亿元)，与去年同期相比大幅攀升85.9%
这些新指南旨在应对随着 SiC 器件在电力电子应用(包括电动汽车、工业电机驱动、可再生能源系统和电力基础设施)中日益普及所带来的关键挑战。
三菱电机株式会社宣布即将开始供应其第五代碳化硅(SiC)MOSFET裸芯片的样品，该产品专为电动汽车动力总成应用而开发
高效功率转换公司(EPC)新推出四款评估平台，旨在加速基于氮化镓(GaN)技术的高性能无刷直流(BLDC)电机驱动系统的开发。
三星位于美国得克萨斯州泰勒市的工厂即将正式投产。该工厂的投运有望在近期扭转其固定成本结构，从而为盈利能力改善提供实质性支撑。泰勒工厂是三星在美国布局的关键制造基地之一
Wise Integration 将在 PCIM 2026 展会上展示其最新的数字电源转换技术，并公布以分布式数字控制和下一代 WiseGan® 电源 IC 为核心的技术路线图。
该模块集成了半桥配置的80V MOSFET，并针对带式启动发电机系统、能量回收功能以及紧凑型电动牵引平台进行了优化。Vishay表示，与基于分立元件的传统方案相比，该解决方案可减少高达15%的PCB空...
升压式变换器(Boost Converter)作为一种常见的DC-DC电源转换电路，凭借其高效率和灵活性，被广泛应用于各种电子系统中。
这两款新设计针对英伟达Kyber液冷刀片式机架平台进行了优化，旨在满足高密度人工智能基础设施中对高效、节省空间的辅助电源系统日益增长的需求。
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