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在当今这个设备性能决定竞争力的时代，无论是精密工业机械、高速运行的服务器，还是我们日常依赖的汽车与家电，过热都是性能与寿命的“隐形杀手”
该传感器基于磁平衡原理设计，通过闭环负反馈机制消除测量误差，其工作原理可分为磁场感应、信号处理、磁平衡补偿三个核心阶段，形成完整的测量闭环。
在拓展电力电子半导体材料性能的赛道上，研究人员正愈发聚焦氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的颠覆性特性。
一款高性价比、稳定可靠的 32 位单片机，直接决定了产品的研发效率和市场竞争力。今天就来聊聊 32 位单片机的选型关键
平时用充电宝给手机充电时，你有没有想过一个问题：充电宝里的锂电池电压一般是3.7V，而手机充电需要5V甚至更高，这中间是谁在“暗中发力”?
这篇文章，将研究视角从半导体芯片拓展至系统级整体热路径 —— 其中基板界面、母线排和冷却架构在功率系统的温升控制与长期可靠性保障中发挥着关键作用
在科技飞速发展的今天，半导体材料的选择对电子设备的性能起着至关重要的作用。第三代半导体中的碳化硅(SiC)正逐渐成为市场的宠儿。它不仅在性能上优于传统硅材料
红外热成像技术已经成为许多行业中不可或缺的工具，尤其是在监控、安防、工业检测和医疗领域。随着技术的发展，红外热成像模组种类繁多
电流传感器在现代电子设备中扮演着至关重要的角色，特别是在需要精确测量电流变化的应用中。LEM作为全球知名的电流传感器品牌，其产品以高精度和可靠性著称。今天，我们
许多工程师和电子爱好者在组装或维修此类设备时，常会困惑：这两个关键模块究竟该如何正确连接?
在智能设备日益普及的今天，触控技术已经成为人们生活中不可或缺的一部分。尤其是电容触控芯片，它们以其高灵敏度、耐用性和易操作性，广泛应用于各种智能设备中。
埃尔朗根 - 纽伦堡大学(FAU)的研究人员与三安光电合作，开发出一款效率超过 99.6% 的软开关逆变器。这一技术突破能帮助电动汽车制造商提升续航里程，并充分发挥宽禁带半导体的性能优势。
在选择二极管时，你可能经常听到“肖特基二极管”这个大名，它常常被贴上“高效”、“高速”、“低压降”的闪亮标签。但当你准备采购时，却发现它好像不止一种，让人眼花缭乱。
电源管理芯片，作为现代电子设备中不可或缺的组成部分，几乎出现在我们日常使用的所有电子产品中。
超宽带隙半导体被视为电力电子领域的下一个前沿方向。这类材料包括氧化镓、氮化铝和金刚石，相比碳化硅或氮化镓制成的宽带隙器件，它们具有显著的理论优势
面对市场上琳琅满目的芯片，8位单片机和32位单片机的抉择常常让工程师，尤其是初学者感到困惑。它们之间究竟有何本质区别?又该如何根据项目需求做出最佳选择?
碳化硅(SiC)已成为电力电子领域最具变革性的宽带隙(WBG)半导体技术之一。碳化硅 MOSFET 和碳化硅二极管的性能显著优于传统硅基器件，具备更高的击穿电压、更快的开关速度以及实际工作条件下的超高...
作为第三代半导体的核心器件，它用碳化硅(SiC)材料替代传统硅基，在性能上实现了质的飞跃，成为电力电子领域的 “香饽饽”。
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