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纳微半导体宣布推出其第五代GeneSiC沟槽辅助平面型碳化硅MOSFET技术平台，首推产品为1200 V系列。这些新型MOSFET专为AI数据中心、电网与能源基础设施以及工业电气化领域的高压电源转换应...
根据美国半导体行业协会(SIA)在3月6日发布的数据，2026年1月全球半导体销售额达到了825亿美元，较2025年12月的796亿美元增长了3.7%。
Wolfspeed公司宣布推出一款10 kV碳化硅功率MOSFET，据称这是该电压等级中首款商用器件。
NoMIS Power 公司发布了两款中压碳化硅(SiC)MOSFET：型号为 N3PT035MP330K 的器件，额定电压为 3.3 kV，具有 35 mΩ 导通电阻和 88 A 电流能力
这一协议的达成，标志着罗姆在GaN功率元件生产领域迈出了关键一步，计划在其集团内部建立完整的GaN功率元件生产体系，以应对市场日益增长的需求。
该 SmartMCD 器件集成了嵌入式 MCU、低边和高边驱动输出以及继电器控制功能。通过在单一器件中整合控制逻辑与功率级，该 IC 可直接驱动汽车车身电子系统中常见的电机、继电器及其他功率负载
这一协议的达成，标志着罗姆在GaN功率元件生产领域迈出了关键一步，计划在其集团内部建立完整的GaN功率元件生产体系，以应对市场日益增长的需求。
进入2025年以来，DRAM(动态随机存取存储器)与NAND闪存的价格呈现出强劲的同步上涨态势，其中DRAM价格更是再次刷新了历史最高纪录。
TDK 公司正式发布 B43655 与 B43656 系列铝电解电容器，该系列产品专为电动汽车车载充电机(OBC)直流链路应用量身打造。
该系列产品以更高的集成度、更快的开关性能以及更完善的系统级功能，面向消费电子和工业电源市场，进一步拓展了 GaN 技术在实际应用中的落地空间。
近日，全球领先的电源半导体公司Navitas Semiconductor正式发布了其最新研发的10 kW DC-DC电源转换平台。
据东芝电子设备与存储公司公布，已开始提供 TB9104FTG 的工程样品。
这一新兴的电力半导体技术旨在满足电动汽车、可再生能源及数据中心等领域对高性能组件日益增长的需求。
在2025年7月宣布交易并获得所有必要的监管批准后，意法半导体已完成对恩智浦半导体MEMS传感器业务的收购
CISSOID 近日发布了 CMT-PLA1BL12300MA，一款额定 1200 V、300 A 的半桥 IGBT 功率模块，面向需要在效率、可靠性与成本之间取得平衡的工业电力变换系统
从制造角度看，向300毫米的转变将改变衬底供应和芯片制造的单位经济性。更大的晶圆在理论上每片晶圆可产生的芯片数量更多，并且在设备组合能够支持这一规格时，可以提高设备利用率。
近日，Vishay Intertechnology 宣布推出五款新的 1200 V 硅碳化物(SiC)MOSFET 功率模块，旨在提升中高频应用的电源效率。
官方数据揭示，2025年中国集成电路产量达到4843亿块，出口增长为17.4%。
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