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近日，美光科技(Micron Technology)正式宣布，其位于纽约州的半导体超级工厂将于1月16日开始建设。这一项目的总投资额高达1000亿美元，成为美光历史上最大规模的投资举措。
但在实际应用中，元器件来料质量、存储老化或电路异常，都可能导致二极管性能下降甚至失效。因此，学会正确测试快恢复二极管，对保障电路可靠性尤为重要。
小芯片技术成为一种极具吸引力的解决方案，它通过模块化、良率优化和IP模块的设计复用，提供了显著的成本优势。
基于多级开关电容的功率转换器在这些应用中日益受到青睐。在本文中，我们将讨论在此类转换器中使用低压(LV)GaN开关的优势。
到2025年，全球芯片收入有望达到7,050亿美元，显示出这一行业的强劲发展势头。
其在高电压、高频率、高温环境下展现出的卓越性能，使其成为电动汽车、新能源发电、工业电源等关键领域的核心元器件。
当前的挑战已不仅仅是供电容量，更在于电力输送本身。传统的横向供电路径如今会产生高达10%的电阻性(I²R)损耗，并以热量形式散失。
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的宽禁带(WBG)功率半导体器件能够实现更高的功率转换效率。
随着电动车、工业设备和人工智能(AI)技术的发展，电力电子行业面临着越来越多的挑战。这些系统通常要求高效的能量转换、紧凑的布局以及高可靠性，尤其是在空间有限、冷却能力固定的情况下。
参数看起来差不多，价格差异却很大;能测量不代表“测得准、用得久”。那么，电压电流传感器到底该怎么选?
DC-DC升压转换器芯片(又称Boost转换器芯片)作为实现这一功能的核心器件，凭借高效的能量转换能力和稳定的输出特性，成为现代电源管理系统的关键组成部分。本文将深入拆解其工作原理，带您读懂能量“升级...
在高压IGBT和SiC模块中，热失控不仅仅是结温超过安全限值的情况，它代表着一个正电热反馈回路的升级过程：温度升高会增加电损耗，而这些损耗的增加又会产生更多热量。
村田制作所近日宣布推出并开始量产一款新型多层陶瓷电容器(MLCC)。该产品具有15 nF的容值、1.25 kV额定电压及C0G介质特性，采用紧凑的1210英寸(3.2mm2.5mm)封装尺寸。
高效电源转换公司空间部门在先前的文献中已经证明了增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的可靠性，这篇文章的目的是更全面地表征这些HEMTs的单粒子效应响应，同时改变重离子入射器件时的穿透角度。
这篇文章的目的是更全面地表征这些HEMTs的单粒子效应响应，同时改变重离子入射器件时的穿透角度。
与通孔封装相比，碳化硅(SiC)MOSFET和二极管的表面贴装封装具有若干优势。如今，这主要源于市场对紧凑、高效且运行温度低的系统的需求
台积电官网近日发布消息，宣布公司于2025年第四季度开始量产其最新的2nm级N2制程工艺芯片。
本文将围绕电源管芯片分类进行系统梳理，帮助工程师和采购人员更清晰地理解不同类型电源管芯片的特点与应用场景，也有利于搜索引擎对专业内容的识别与收录。
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